利用多片128K×1位的SRAM芯片设计存储容量为128K×8位的SRAM存储器。要求:画出电路原理图,并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

时间: 2024-02-18 11:03:45 浏览: 28
好的,我来回答你的问题。 首先,需要使用8个128K×1位的SRAM芯片,每个芯片对应一个存储单元。将它们按照8位并行的方式组合起来,就可以构成128K×8位的SRAM存储器。 下面是电路原理图: ``` +-------+ A0 --| |-- D0 A1 --| |-- D1 A2 --| |-- D2 ... | | A16 --| |-- D7 CE --| |-- WE OE --| |-- U/D +-------+ ``` 其中,A0~A16是地址线,D0~D7是数据线,CE是芯片使能信号,WE是写使能信号,OE是读使能信号,U/D是上下文切换信号。 工作原理如下: 1. 写入数据时,首先通过地址线向相应的芯片发送地址信号,然后将数据通过数据线输入到芯片中,同时将WE信号置为高电平,将写入数据刷新到芯片中。 2. 读取数据时,同样通过地址线向相应的芯片发送地址信号,并将OE信号置为低电平,从芯片中读取数据并通过数据线输出。 3. 在切换上下文时,需要将U/D信号置为高电平,然后再进行写入或读取操作。 以上就是利用多片128K×1位的SRAM芯片设计存储容量为128K×8位的SRAM存储器的电路原理图和工作原理的详细描述。
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利用多片256K×1位的SRAM芯片设计存储容量为256K×8位的SRAM存储器。要求:画出电路原理图,并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

首先,我们需要将256K×8位的SRAM存储器划分为256K个存储单元,每个存储单元可以存储8位数据。然后,我们需要使用8片256K×1位的SRAM芯片,每个芯片只能存储1位数据,因此需要将8个芯片的数据位连接起来,才能形成8位数据的存储单元。 接下来,我们来看看电路原理图: ![SRAM存储器电路原理图](https://img-blog.csdn.net/20180411152531910) 控制线: OE (Output Enable) 控制输出使能,当 OE 为低电平时,输出数据才有效。 WE (Write Enable) 控制写使能,当 WE 为低电平时,数据才能被写入存储器。 CS (Chip Select) 控制芯片使能,当 CS 为低电平时,芯片才能工作。 地址线: A0 ~ A17 为地址线,用来寻址256K个存储单元。 数据线: D0 ~ D7 为数据线,用来存储8位数据。 工作原理: 1. 写入数据:当 WE 为低电平,CS 为低电平,地址线给出要写入的地址时,数据线上的数据就会被写入到对应的存储单元中。 2. 读取数据:当 OE 为低电平,CS 为低电平,地址线给出要读取的地址时,存储单元中的数据就会被输出到数据线上。 3. 存储器的工作原理是基于地址寻址的,可以将每个存储单元看作一个箱子,每个箱子里可以存储8位数据。地址线就相当于箱子编号,可以找到对应的箱子,数据线就是箱子里存储的数据。 4. 因为使用了8片256K×1位的SRAM芯片,所以需要将这8个芯片的数据位连接起来,才能形成8位数据的存储单元。每个芯片的地址线和控制线都是共用的,所以需要使用译码器进行地址和控制信号的解码。

利用多片512K×1位的SRAM芯片设计存储容量为512K×8位的SRAM存储器。要求:画出电路原理图,并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

好的,根据你的要求,我将回答你的问题。首先,我们来看一下电路原理图: ``` +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ | | | | | | | | | | | | | | | | +--------------+ | | | 512K x 1bit | | SRAM | | | +--------------+ ``` 上面是一个基于多片 SRAM 芯片的 512K x 8位存储器的电路原理图。它由 8 片 512K x 1 位的 SRAM 芯片组成,每个 SRAM 芯片只能存储 1 位数据。因此,我们需要 8 个 SRAM 芯片来存储 8 位数据。每个 SRAM 芯片都有自己的地址线和数据线,但是它们共享控制线来实现对整个存储器的控制。 接下来,我将从控制线、地址线和数据线三个方面描述这个存储器的工作原理: 1. 控制线 控制线用于控制整个存储器的读写操作。它包括以下几条线: - 地址使能线(CE):当 CE 为低电平时,存储器才能响应读写操作。 - 写使能线(WE):当 WE 为低电平时,可以向存储器写入数据。 - 读使能线(OE):当 OE 为低电平时,可以从存储器读取数据。 2. 地址线 地址线用于选择要读写的数据所在的存储单元。由于每个 SRAM 芯片只能存储 512K x 1 位数据,因此我们需要 19 条地址线来选择具体的存储单元。这些地址线被分为 8 组,每组对应一个 SRAM 芯片。例如,第一组地址线(A0 ~ A18)被连接到第一片 SRAM 芯片,用于选择该芯片中的存储单元。 3. 数据线 数据线用于传输存储器中的数据。由于存储器是 8 位宽度的,因此我们需要 8 条数据线来传输数据。这些数据线被连接到每个 SRAM 芯片的数据输入/输出端口,用于读取和写入数据。 当读写控制信号、地址信号和数据信号都传输到存储器时,存储器就可以执行读写操作了。如果要从存储器中读取数据,需要将 CE 和 OE 设为低电平,然后将要读取的地址传输到地址线上。存储器会选择该地址对应的存储单元,并将该单元中存储的数据传输到数据线上。如果要向存储器中写入数据,需要将 CE 和 WE 设为低电平,然后将要写入的地址和数据传输到地址线和数据线上。存储器会选择该地址对应的存储单元,并将数据写入该单元。 这就是基于多片 SRAM 芯片的 512K x 8位存储器的工作原理。

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