STM32G4 读2K Flash 写2K Flash

STM32G4系列的Flash存储器可以通过代码来进行读写操作。读取Flash存储器的步骤如下：

1. 选择Flash存储器的地址和数据宽度。
2. 设置Flash存储器的读取模式。
3. 通过指针读取Flash存储器中的数据。

以下是一个读取2K Flash的示例代码：

#include "stm32g4xx_hal.h"

#define FLASH_START_ADDRESS 0x08000000
#define FLASH_DATA_WIDTH    FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE

uint8_t flash_data[2048];

void read_flash(void)
{
  uint32_t flash_address = FLASH_START_ADDRESS;
  uint32_t flash_data_size = sizeof(flash_data);

  // 选择Flash存储器的地址和数据宽度
  FLASH_EraseInitTypeDef erase_init;
  erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
  erase_init.PageAddress = FLASH_START_ADDRESS;
  erase_init.NbPages = 1;

  // 设置Flash存储器的读取模式
  HAL_FLASH_Unlock();
  HAL_FLASHEx_Erase(&erase_init, NULL);

  // 通过指针读取Flash存储器中的数据
  for (uint32_t i = 0; i < flash_data_size; i++)
  {
    flash_data[i] = *(uint8_t *)(flash_address + i);
  }

  HAL_FLASH_Lock();
}

写入Flash存储器的步骤如下：

1. 解锁Flash存储器。
2. 选择Flash存储器的地址和数据宽度。
3. 设置Flash存储器的写入模式。
4. 写入数据到Flash存储器中。
5. 锁定Flash存储器。

以下是一个写入2K Flash的示例代码：

#include "stm32g4xx_hal.h"

#define FLASH_START_ADDRESS 0x08000000
#define FLASH_DATA_WIDTH    FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE

uint8_t flash_data[2048];

void write_flash(void)
{
  uint32_t flash_address = FLASH_START_ADDRESS;
  uint32_t flash_data_size = sizeof(flash_data);

  // 解锁Flash存储器
  HAL_FLASH_Unlock();

  // 选择Flash存储器的地址和数据宽度
  FLASH_EraseInitTypeDef erase_init;
  erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
  erase_init.PageAddress = FLASH_START_ADDRESS;
  erase_init.NbPages = 1;

  // 设置Flash存储器的写入模式
  uint32_t flash_error = 0;
  HAL_FLASHEx_Erase(&erase_init, &flash_error);

  // 写入数据到Flash存储器中
  for (uint32_t i = 0; i < flash_data_size; i++)
  {
    HAL_FLASH_Program(FLASH_DATA_WIDTH, flash_address + i, flash_data[i]);
  }

  // 锁定Flash存储器
  HAL_FLASH_Lock();
}

需要注意的是，写入Flash存储器时需要先将Flash存储器擦除，再进行写入操作。同时，Flash存储器只能被擦除和写入一次，因此在进行写入操作时需要谨慎处理。