stm32晶振电路设计

在STM32晶振电路设计中，有几个关键参数需要考虑。首先是晶振的频率(F)、晶振的Shunt Capacitance(C0)、晶振的负载电容Load Capacitance(CL)和晶振的等效串联电阻(ESR)。根据手册中的参数，可以计算出晶振的最小稳定跨导(gmcrit)。通常要求单片机的gm比晶振的gmcrit大5倍以上，以确保晶振能顺利起振并运行在稳定状态。\[2\]

对于外部无源晶振的匹配，需要考虑负载电容的匹配。在匹配过程中，可以选择合适的负载电容来满足时钟精度的要求。对于STM32F103和晶技HC-49SMD 8M 20pF 20ppm的匹配，可以根据需求选择合适的负载电容。\[3\]

需要注意的是，直接抄袭原理图可能会导致批量生产中出现问题，系统稳定性可能会受到影响。因此，在设计晶振电路时，建议进行匹配工作，以确保系统的稳定性和可靠性。
#### 引用[.reference_title]
- *1* *2* *3* [STM32 外部晶振电路设计和匹配](https://blog.csdn.net/Seaman_TY/article/details/93090532)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
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