写一个Verilog-A 的MOSEFET模型

以下是一个简单的 Verilog-A MOSFET 模型，其中包括了基本的 DC 特性和简单的 AC 特性：

module mosfet_va (
  input voltage_gate, voltage_drain, voltage_source,
  output current_drain
);

  // Define model parameters
  parameter real L = 1e-6;   // Channel length
  parameter real W = 1e-6;   // Channel width
  parameter real tox = 5e-9; // Gate oxide thickness
  parameter real vth0 = 1.0; // Threshold voltage
  parameter real k = 0.1;    // Transconductance parameter

  // Declare internal variables
  real vgs, vds, vbs, id, gm, gds;

  // Compute internal voltages
  vgs = voltage_gate - voltage_source;
  vds = voltage_drain - voltage_source;
  vbs = 0; // Assume body is grounded

  // Compute DC drain current
  if (vgs < vth0) begin
    id = 0;
  end else begin
    id = k * (vgs - vth0)^2 * (1 + lambda * vds);
  end

  // Compute small-signal parameters
  gm = 2 * k * (vgs - vth0) * (1 + lambda * vds);
  gds = k * (vgs - vth0)^2 * lambda;

  // Output drain current
  current_drain = id;

endmodule

这个模型中需要传入门极电压、漏极电压和源极电压，输出漏极电流。模型中包含了 MOSFET 的 DC 特性和简单的 AC 特性，以及一些常见的模型参数。需要注意的是，这个模型是一个简化的模型，实际应用中可能需要更复杂的模型来更好地描述 MOSFET 的特性。