写一个VerilogA的mosfet模型

在Verilog-A语言中，MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）模型是一个用于模拟金属氧化物半导体场效应晶体管行为的模块。这种模型通常包括源漏电压、栅极电压、漏电流等变量，并基于欧姆定律、伏安特性以及沟道增强因子等物理原理来计算。

下面是一个简单的MOSFET Verilog-A模型的示例：

module mosfet_model(
    input voltage_g,
    input voltage_d,
    output current_d,
    parameter threshold_voltage = 0.5V,
    parameter mobility = 1e-4cm^2/Vs,
    parameter drain_resistance_off = 1kOhm
);
    // MOSFET状态变量
    localparam is_on = (voltage_g - threshold_voltage) > 0;

    // 漏电阻（开路和导通两种状态）
    if(is_on) begin
        current_d <= mobility * voltage_d / (voltage_g - voltage_d);  // 导通时的漏电流
    end else begin
        current_d <= 0;  // 关断时的漏电流近似为零
    end

    // 阻抗变换
    resistance dron_r(on => is_on, off => ~is_on) = drain_resistance_off;
endmodule

这个模型假设了阈值电压、迁移率和关断状态下的阻值。在实际应用中，你可能需要根据具体的MOSFET类型和规格来自定义更详细的参数。