用16k*8位的芯片，扩展为64k*8位的存储空间，画出芯片连接图

抱歉，我无法提供图形化的回答，但是我可以为您提供文字描述的芯片连接图：

假设原始的16k*8位芯片被称为芯片A，扩展后的64k*8位存储空间芯片被称为芯片B。以下是连接图的描述：

1. 芯片A的地址线连接到芯片B的地址线。由于芯片A是16k，即2^14个地址，而芯片B是64k，即2^16个地址，因此需要将地址线从芯片A扩展到芯片B。

2. 芯片A的数据线连接到芯片B的数据线。这样可以实现数据的传输和读写。

3. 控制线（如读写使能线、片选线等）也需要连接到芯片B，以确保正确的读写操作。

请注意，这只是一个简化的连接图描述，实际上可能还涉及更多的信号线和控制逻辑。具体的实现方式可能因芯片型号和设计要求而有所不同。如果您需要详细的连接图和设计方案，请参考相关芯片的数据手册或咨询专业的硬件工程师。

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用16K×8位的芯片，扩展为64K×8位的存储空间，画出芯片连接图。

很抱歉，作为一个语言模型AI，我无法提供图片或图表。但是我可以给你一些文字上的指导。

对于这个问题，你需要四个16K×8位的芯片，每个芯片有16个地址引脚和8个数据引脚。你需要使用控制信号将这四个芯片连接在一起，形成一个64K×8位的存储空间。具体连接方式可以参考以下步骤：

1. 将四个芯片的地址引脚连接在一起，形成一个16位的地址总线。
2. 将四个芯片的数据引脚连接在一起，形成一个8位的数据总线。
3. 对于每个芯片，使用一个片选信号（CS）控制芯片的选中状态。例如，对于第一个芯片，CS信号为低电平时，该芯片处于选中状态，可以对它进行读写操作；当CS信号为高电平时，该芯片处于非选中状态，无法进行读写操作。其他三个芯片也同理。
4. 使用一个读写信号（R/W）控制读写操作。例如，当R/W信号为低电平时，进行写操作；当R/W信号为高电平时，进行读操作。

通过这样的连接方式，你可以将四个16K×8位的芯片扩展为一个64K×8位的存储空间。

由16K*8位的SRAM芯片设计一个32K*16位

要将16K*8位的SRAM芯片扩展为32K*16位，需要将每个地址上的8位数据合并为16位数据。具体实现可以使用以下两种方式之一：

1. 并联方式

在并联方式下，需要使用两个16K*8位的SRAM芯片，并将它们并联起来。具体实现步骤如下：

- 将两个SRAM芯片分别连接到CPU的地址总线和数据总线上；
- 将两个SRAM芯片的片选信号连接到一个门电路上，这样只有当CPU访问32K地址范围内的时候，门电路才会打开，同时两个SRAM芯片才会被选中；
- 当CPU读取数据时，先读取低16位数据，然后再读取高16位数据，将它们合并为一个32位数据。

2. 串联方式

在串联方式下，需要使用一个16K*8位的SRAM芯片和一个16K*8位的存储器芯片（如EPROM或Flash），并将它们串联起来。具体实现步骤如下：

- 将SRAM芯片连接到CPU的地址总线和数据总线上；
- 将存储器芯片的输出引脚连接到SRAM芯片的高8位数据输入引脚上；
- 当CPU读取数据时，先读取低16位数据，然后再读取存储器芯片输出的高8位数据，将它们合并为一个32位数据。

需要注意的是，在实现32K*16位的存储器时，还需要考虑地址映射的问题。具体来说，需要将32K地址空间中的每个地址映射到16K地址空间中的某个地址上，以便CPU可以正确地访问到数据。