在进行IDT7132双端口存储器实验时，应如何设置控制信号以避免读写冲突并确保数据完整性？

在进行IDT7132双端口存储器实验时，确保控制信号正确设置是避免读写冲突和保证数据完整性的关键。具体步骤如下：

参考资源链接：[双端口存储器IDT7132实验：并行读写与冲突分析](https://wenku.csdn.net/doc/1cuaa9q0ky?spm=1055.2569.3001.10343)

首先，要理解IDT7132存储器的控制信号对于左右端口的作用。CEL#控制左端口的使能，LR/W#控制左端口的读或写操作，OEL#控制数据从左端口到数据总线的输出。对于右端口，CER#控制右端口的使能，RR/W#固定为高电平用于读操作，而OER#固定接地。

在实验中，应当按照以下步骤设置控制信号：

1. 初始化设备，确保所有控制信号初始状态正确，即CEL#和CER#应为高电平，以禁止两个端口的读写操作。

2. 进行写操作时，先将CEL#设为低电平使能左端口，然后根据需要通过LR/W#设置为低电平以执行写操作，并通过OEL#设为低电平将数据从左端口输出到数据总线DBUS。完成数据写入后，将CEL#恢复高电平，终止写操作。

3. 在读取数据时，设置OEL#为低电平以使数据总线DBUS能够接收数据，同时保持CEL#为低电平以使能左端口的读操作。

4. 对于右端口的读操作，由于RR/W#固定为高电平且OER#接地，右端口始终处于读取模式。因此，只需确保CER#为低电平即可，无需进一步控制RR/W#和OER#。

在整个实验过程中，应监控地址寄存器AR和PC的递增操作，确保地址的正确更新，避免因地址错误导致的数据访问冲突。

通过以上步骤，可以在实验中有效避免读写冲突，并确保数据的正确写入和读取。为深入理解双端口存储器的工作原理和特性，建议详细学习《双端口存储器IDT7132实验：并行读写与冲突分析》，该资料不仅提供了实验的详细步骤和设置方法，还涵盖了冲突分析和解决方案，是实验的完美指导材料。

参考资源链接：[双端口存储器IDT7132实验：并行读写与冲突分析](https://wenku.csdn.net/doc/1cuaa9q0ky?spm=1055.2569.3001.10343)