如何在TSMC 1.8V工艺下设计并验证一个双反相器的电路版图？

在TSMC 1.8V工艺环境下设计一个双反相器的电路版图，需要经过前端设计、版图绘制和后端验证三个主要阶段。首先，在前端设计阶段，你需要使用专业的原理图绘制工具如Visio来绘制双反相器的.schematic文件，并确保所有端口的名称和顺序一致。根据TSMC提供的1.8V工艺模型库，选择合适的MOS管模型，并基于工艺特点设置正确的电源电压（VDD=1.8V）。在确定MOS管参数时，例如宽度(W)和长度(L)，需要考虑到工艺角的影响以及晶体管的物理特性和电气性能。

参考资源链接：[TSMC 1.8V工艺双反相器版图教程详解](https://wenku.csdn.net/doc/6n7eg9c62c?spm=1055.2569.3001.10343)

接下来，在版图绘制阶段，使用Cadence等版图设计软件在Linux系统环境下进行操作。依据原理图完成版图布局，遵循TSMC的布局规则和布线策略，确保电路的功能性和可靠性。在完成版图设计后，进行后端验证，这一步骤包括设计规则检查(DRC)、布局与原理图对比(LVS)以及提取寄生参数进行后仿真。

后仿真通常利用Hspice软件进行，你需要编写一个.sp文件，如dualinv.sp，引用TSMC模型库并定义MOS管参数。通过Hspice仿真，观察输入信号与输出波形的对应关系，验证电路的时序和功能。最后，使用PEx等工具对版图进行提取，生成可以用于制造的净空图，确保版图设计满足工艺要求。

在整个过程中，确保电路版图设计的准确性至关重要。因此，强烈推荐参考《TSMC 1.8V工艺双反相器版图教程详解》这一教程，它提供了详细的步骤指导和操作技巧，帮助你更好地理解和掌握TSMC工艺下的双反相器设计流程。

参考资源链接：[TSMC 1.8V工艺双反相器版图教程详解](https://wenku.csdn.net/doc/6n7eg9c62c?spm=1055.2569.3001.10343)