辐射温度一定的情况下,发射区掺杂浓度增大时,基区掺杂浓度随之增大的原因是什么
时间: 2023-09-27 08:05:32 浏览: 30
在辐射温度一定的情况下,发射区掺杂浓度增大时,由于发射区掺杂浓度的增大,导致发射区中自由载流子浓度增加,进而提高发射区的注入效率。同时,发射区中电子浓度的增加会导致电场强度的增大,从而使得基区中的空穴和电子更容易被注入到发射区。因此,基区中的空穴和电子浓度也会随之增加,从而实现整个器件的高效注入和高速运动。所以,发射区掺杂浓度的增大可以提高整个器件的电性能。
相关问题
为什么三极管基区掺杂浓度小?而且还要做得很薄?
三极管基区掺杂浓度小是因为基区主要作为控制电流的区域,其电阻要比集电区和发射区高,因此要求掺杂浓度较低。如果基区掺杂浓度过高,将导致电流过大,三极管无法正常工作。
而基区做得很薄是为了减小基区的电阻,提高三极管的放大倍数。基区薄时,电子和空穴在基区中的扩散距离很短,从而减少了电流的损失,提高了三极管的效率。此外,薄基区还可以使三极管的响应速度更快,更适合高频应用。
与理想bjt相比,基区非均匀掺杂,对bjt电流增益有什么影响
BJT的基区非均匀掺杂会影响其电流增益,主要有以下两个方面的影响:
1. 减小电流增益:基区非均匀掺杂会导致电子和空穴在基区中的分布不均匀,使得部分电子和空穴流失到集电区和发射区,从而减小了电流增益。
2. 增加漏电流:基区非均匀掺杂会导致漏电流的增加,这是因为在非均匀掺杂的区域中,电子和空穴会出现扩散漂移,从而在基区中形成空穴和电子的浓度梯度,进而产生漏电流。
因此,基区非均匀掺杂会对BJT的电流增益产生负面影响,降低器件性能。在制造BJT时,需要尽可能地优化工艺参数,以减小基区掺杂的非均匀性,从而提高器件的电流增益。