（3）动态MOS存储器为什么要刷新？如何刷新？

动态MOS存储器中的存储单元是由一个电容和一个MOS场效应管组成的。在读取和写入数据时，电荷从电容器中流入或流出，从而实现数据的存储和读取。然而，由于电容器的自放电特性，存储在电容器中的电荷会逐渐减少。如果不加以刷新，这些电荷会逐渐减小，最终导致存储单元无法正确读取数据。

因此，动态MOS存储器需要定期刷新以保持存储单元中的电荷。刷新操作通常由内部计时器或外部控制器触发。在刷新操作中，存储器中的每个存储单元都会被读取，并重新写入同样的数据。这样就可以重新充电电容器并保持存储单元中的电荷，从而保证数据的可靠性。

刷新操作通常是周期性的，具体的刷新时间间隔取决于存储器的设计和使用环境。在刷新操作期间，存储器可能会暂停读写操作，从而导致性能降低。因此，在实际应用中，需要考虑存储器的刷新时间间隔和性能要求之间的平衡。

相关问题

动态MOS存储器为什么要刷新？如何刷新

动态MOS存储器（DRAM）是一种存储数据的芯片，它通过将电荷存储在电容器中来实现数据存储。由于电容器会逐渐失去电荷，所以DRAM中存储的数据会随着时间的推移而逐渐消失，需要定期进行刷新操作来保持数据的完整性。因此，DRAM需要刷新是因为它无法长时间保存数据，需要定期更新。

DRAM的刷新方式一般有两种：自刷新和预充电刷新。

自刷新是指DRAM内部集成了刷新电路，当DRAM芯片处于空闲状态时，刷新电路会自动对存储单元进行刷新操作，从而保持数据的完整性。

预充电刷新是指在DRAM芯片外部添加一个刷新电路，通过控制刷新电路的工作来对DRAM进行刷新。预充电刷新需要在DRAM工作之前进行，通过在DRAM芯片上加电后预先将所有存储单元充电，然后在工作过程中定期地对存储单元进行刷新，从而保证数据的正确性。

总之，动态MOS存储器需要刷新来保持数据的完整性。刷新方式一般有自刷新和预充电刷新两种，具体选择哪种刷新方式取决于具体应用场景和设计要求。

poly变小mos 管会漏电吗？为什么？

在 MOS 工艺中，poly 和 MOS 管是分开制作的，poly 层主要用于形成 MOS 管的栅极和其他器件结构，而 MOS 管是形成在 poly 层之上的，它们是互相独立的。因此，即使将 poly 层缩小，也不会直接影响 MOS 管的漏电情况。但是，如果缩小 poly 层的同时也缩小了 MOS 管的尺寸，那么 MOS 管的漏电可能会增加，这是因为缩小 MOS 管的尺寸会增加场效应管的电场强度，从而导致漏电的增加。