在EL-JY-II实验系统上,如何设置片选信号并利用6116 SRAM芯片完成数据的精确读写?
时间: 2024-10-27 22:17:31 浏览: 38
在进行基于EL-JY-II实验系统的6116 SRAM芯片存储器实验时,正确地设置和操作片选信号是实现数据读写的关键步骤。首先,需要了解6116 SRAM芯片的基本特性,它是一个2K×8位的存储器,拥有独立的片选信号/CE、读信号/R和写信号/W。
参考资源链接:[6116 RAM存储器与总线控制实验指导](https://wenku.csdn.net/doc/539a3mwyso?spm=1055.2569.3001.10343)
片选信号/CE用于激活或禁用芯片。当/CE信号被置为低电平时,SRAM被激活,可以进行数据的读写操作。而/CE为高电平时,SRAM不响应地址、数据和控制信号,处于高阻态。
在实验系统中,通常使用地址总线的高位或特定的控制线来生成片选信号,确保只有当指定的地址范围被选中时,SRAM芯片才会响应。例如,如果地址线A10和A11用于片选,那么你可以设置逻辑电路,使得只有在A10和A11为低电平时,/CE信号才为低电平,其他情况下为高电平。
在进行写操作时,确保/CE和/W信号同时为低电平,而/R信号为高电平。写操作可以由外部时钟信号或控制信号触发,在写使能信号/WE有效时,将数据线上的数据写入对应地址。
读操作则需要/CE和/R信号为低电平,同时/W信号为高电平。在读使能信号/RE有效时,SRAM将对应地址的数据输出到数据线上,完成读取操作。
实验步骤应包括:
1. 设计和搭建实验电路,确保地址线、数据线、控制线正确连接到6116 SRAM芯片。
2. 根据实验系统提供的地址范围,设计片选逻辑电路,确保只有在选中的地址范围内,SRAM芯片才会被激活。
3. 设置读写控制信号,按照实验要求,编写控制程序或手动操作控制信号,以实现数据的写入和读取。
4. 编写测试代码或手动进行数据读写操作,验证数据的准确性。
通过以上的步骤,可以确保在EL-JY-II实验系统上利用6116 SRAM芯片完成数据的准确读写操作。为了深入理解和掌握这些实验操作,建议参考《6116 RAM存储器与总线控制实验指导》这本资料,它将提供更详细的实验步骤和操作指导,帮助你更好地理解和实践存储器的相关操作。
参考资源链接:[6116 RAM存储器与总线控制实验指导](https://wenku.csdn.net/doc/539a3mwyso?spm=1055.2569.3001.10343)
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