在TMS320C6670多核浮点SoC上配置DDR3内存支持时，应如何设置DDR3 PLL相关控制寄存器以优化内存访问性能？

为了在TMS320C6670多核浮点SoC上优化DDR3内存访问性能，你需要深入了解DDR3 PLL的配置及其对系统性能的影响。根据《TMS320C6670多核浮点SoC架构与开发指南》中提供的信息，首先需要访问DDR3 PLL相关的控制寄存器，如DDR3PLLCTL1和PASSPLLC，以便于正确配置DDR3内存参数，这包括时钟频率、时序参数和电压设置等。

参考资源链接：[TMS320C6670多核浮点SoC架构与开发指南](https://wenku.csdn.net/doc/abrx2z2dr8?spm=1055.2569.3001.10343)

在配置过程中，需要考虑以下几个关键步骤：
1. 确定DDR3内存的时钟频率要求，并据此设置DDR3 PLL控制寄存器，以确保时钟源的稳定性和精确性。
2. 根据内存的数据手册和规格书，调整时序参数，包括tRCD、tRP、tRAS和tRC等，以达到最佳的内存访问延迟和吞吐量。
3. 通过软件工具或者直接访问硬件寄存器，对DDR3 PLL进行校准，保证内存操作的稳定性和可靠性。
4. 利用性能分析工具监控内存访问的实时性能，包括带宽、延迟和错误率等指标，以便进一步调优。

优化DDR3内存访问性能不仅仅在于寄存器的设置，还包括软件层面的内存分配策略和算法优化，例如使用缓存友好的数据结构、减少内存碎片、提高缓存命中率等。此外，由于TMS320C6670是多核SoC，还需考虑多核之间的内存访问协同和同步，以避免竞争条件和提高整体系统的并行处理能力。

鉴于TMS320C6670的高性能和复杂性，建议开发者参考《TMS320C6670多核浮点SoC架构与开发指南》中的详细指南和示例，以确保正确配置并充分利用DDR3内存的潜力，从而实现最佳的系统性能。

参考资源链接：[TMS320C6670多核浮点SoC架构与开发指南](https://wenku.csdn.net/doc/abrx2z2dr8?spm=1055.2569.3001.10343)