在单轴晶体中一般地电位移矢量D和电场强度E方向地关系
时间: 2023-10-30 08:07:15 浏览: 59
在单轴晶体中,电位移矢量D和电场强度E的方向关系如下:
1. 当电场强度E沿着晶体的光轴方向(也称为光学轴或Z轴)传播时,电位移矢量D也沿着光轴方向,即它们的方向重合。
2. 当电场强度E垂直于晶体的光轴方向时,电位移矢量D与E的方向垂直,即它们之间存在90度的相位差。
这种关系可以用麦克斯韦方程组和各向同性介质中的电位移矢量和电场强度的关系来解释。在单轴晶体中,由于光的折射率在不同的方向上是不同的,因此电场强度和电位移矢量在晶体中的传播方向和速度也是不同的。当电场强度沿着晶体的光轴方向传播时,它的传播方向和速度与电位移矢量相同,因此它们的方向重合。而当电场强度垂直于晶体的光轴方向时,它的传播方向和速度与电位移矢量不同,导致它们之间存在90度的相位差。
这种关系在光学实验和光学器件的设计中有广泛的应用,例如在偏振器、波片和光学调制器等器件中,可以利用单轴晶体中电场强度和电位移矢量的方向关系来控制光的偏振状态和相位。
相关问题
simulink 电位移传感器
很抱歉,根据提供的引用内容,没有找到关于Simulink电位移传感器的信息。但是,根据引用中提到的压电传感器工作原理,压电材料可以将机械能转换为电能或将电能转换为机械能,从而实现非电量测量。因此,压电传感器可以用于测量物体的形变或应力等物理量。在Simulink中,可以使用传感器模块来模拟压电传感器的行为,从而实现对物体形变或应力等物理量的测量。
判断题:静电场中,某导体被电容率为:的各向同性介质包围,试判断以下说法的正误。 (1) 导体为等势体; (2) 导体表面附近的场强:E=60/80 其中,∞0是当地导体表面自由电荷面密度; (3) 写体表面附近的申位移:D=00; (4) 导体表面附近的电位移方向是平行于表面法向的。
1. 正确,静电场中,导体内部电场为0,导体表面处处相等,所以导体为等势体。
2. 错误,若电容率为ε,则场强为E=σ/ε,其中σ为导体表面的自由电荷面密度,所以E=∞0/ε,根据题目给出的信息,E=80/60≠60/80。
3. 正确,由高斯定理可知,闭合曲面内部电荷代数和等于零,所以D=εE=ε×0=0。
4. 正确,电位移方向与电场方向垂直,而导体表面处电场方向与表面法向垂直,所以导体表面附近的电位移方向是平行于表面法向的。