stm32hal库flash读写一个字节例程

以下是基于STM32 HAL库的Flash读写一个字节的例程：

#include "stm32f4xx_hal.h"

#define FLASH_USER_START_ADDR   ADDR_FLASH_SECTOR_5   //Flash起始地址
#define FLASH_USER_END_ADDR     ADDR_FLASH_SECTOR_5 + FLASH_SECTOR_SIZE -1  //Flash结束地址
#define FLASH_PAGE_SIZE         ((uint32_t)0x400)     //Flash页大小
#define FLASH_TIMEOUT           ((uint32_t)0xFFFF)    //Flash操作超时时间

/* Flash读一个字节 */
uint8_t Flash_ReadByte(uint32_t addr)
{
    return (*(__IO uint8_t*)addr);
}

/* Flash写一个字节 */
HAL_StatusTypeDef Flash_WriteByte(uint32_t addr, uint8_t data)
{
    HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;

    /* 使能Flash写入 */
    status = HAL_FLASH_Unlock();
    if(status != HAL_OK)
    {
        return status;
    }

    /* 擦除要写入的页 */
    uint32_t page_error = 0;
    FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_5, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);
    status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, addr, data);
    if(status != HAL_OK)
    {
        return status;
    }

    /* 禁止Flash写入 */
    status = HAL_FLASH_Lock();

    return status;
}

int main(void)
{
    HAL_Init();
    __HAL_RCC_FLASH_CLK_ENABLE();

    uint8_t data = 0xAA;
    uint8_t read_data = 0;

    /* 写入数据 */
    Flash_WriteByte(FLASH_USER_START_ADDR, data);

    /* 读取数据 */
    read_data = Flash_ReadByte(FLASH_USER_START_ADDR);

    while(1)
    {
        /* 业务逻辑处理 */
    }

    return 0;
}

需要注意的是，Flash的写入需要先擦除对应的Flash页，因此在写入之前需要调用`FLASH_Erase_Sector()`函数擦除要写入的Flash页。同时，在写入之前需要先调用`HAL_FLASH_Unlock()`函数使能Flash写入，在写入完成后需要调用`HAL_FLASH_Lock()`函数禁止Flash写入。