假设半导体在TMin ~ TMax K之间变化，迁移率、扩散系数、少子寿命都不变（采用室温300K下的数值），τn0=10-6S,τP0=10-7s，ND=3×1015cm-3，NA=5×1016cm-3，分别画出硅和砷化镓理想反向饱和电流密度随温度的变化曲线的MATLAB 源程序

以下是硅和砷化镓理想反向饱和电流密度随温度的变化曲线的MATLAB 源程序：

% 硅
k = 1.38064852e-23; % 玻尔兹曼常数
q = 1.60217662e-19; % 电荷量
T = linspace(200, 400, 201); % 温度范围

ni = 1.5e10*(T/300).^2.5*exp(-0.72*q/(k*T)); % 硅的本征载流子浓度
Vbi = k*T/q*log((NA*ND)/(ni^2)); % 内建电势垒
Is = q*ni^2*exp(Vbi/(k*T)); % 饱和电流密度

figure
semilogy(T, Is)
xlabel('温度（K）')
ylabel('饱和电流密度（A/cm^2）')
title('硅理想反向饱和电流密度随温度的变化曲线')

% 砷化镓
Eg = 1.424 + 1.247e-3*T - 5.405e-7*T.^2; % 砷化镓的能隙
ni = 2.1e6*(T/300).^1.5*exp(-Eg/(2*k*T)); % 砷化镓的本征载流子浓度
Vbi = k*T/q*log((NA*ND)/(ni^2)); % 内建电势垒
Is = q*ni^2*exp(Vbi/(k*T)); % 饱和电流密度

figure
semilogy(T, Is)
xlabel('温度（K）')
ylabel('饱和电流密度（A/cm^2）')
title('砷化镓理想反向饱和电流密度随温度的变化曲线')

注意，以上代码仅供参考，实际应用中需要根据具体情况进行调整。