stm32f401实现flash读写

在STM32F401芯片中，Flash存储器是可编程的非易失性存储器，可用于存储程序代码、数据和配置信息等。以下是基本的Flash读写操作步骤：

1. 开启Flash访问

在进行Flash读写操作之前，首先需要开启Flash访问。这可以通过以下代码实现：

FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;

其中，FLASH_KEY1和FLASH_KEY2是用于解锁Flash的密钥，可以在STM32F401芯片的数据手册中找到。FLASH_CR_PG位的设置将启动Flash编程模式。

2. 编程Flash

Flash编程可以通过以下代码实现：

// 将数据写入Flash
*(uint32_t*)address = data;

// 等待Flash编程完成
while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) {}

// 检查是否写入成功
if (FLASH->SR & FLASH_SR_EOP) {
  FLASH->SR |= FLASH_SR_EOP;
} else {
  // 写入失败
}

其中，address是Flash地址，data是要写入的数据。在写入数据之后，需要等待Flash编程完成，并检查是否写入成功。

3. 读取Flash

Flash读取可以通过以下代码实现：

uint32_t data = *(uint32_t*)address;

其中，address是Flash地址，data是从Flash中读取的数据。

4. 关闭Flash访问

在完成Flash读写操作后，需要关闭Flash访问，可以通过以下代码实现：

FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;

以上就是STM32F401芯片中Flash读写的基本操作步骤。需要注意的是，在进行Flash读写操作之前，需要确保Flash访问已经开启，并且在进行Flash编程时，需要确保Flash地址和数据都是按照特定的方式对齐的。