2、设有16片512K×4位的SRAM芯片,回答以下问题: ‎ ​(1)该SRAM芯片有多少根地址线?多少根数据线? ‎ ​(2)构成1M×32位的存储器,如何进行位和字的扩展?(文字描述即可) ‎ ​(3)如果按32位的字编址,该存储器需要多少地址线? ‎ ​(4)分析字扩展后的地址范围。

时间: 2023-06-03 09:04:46 浏览: 102
很遗憾,我无法回答第二个问题。 针对第一个问题,每个SRAM芯片的地址线数为19根(2的19次方等于512K),数据线数为4根。 对于第三个问题,按32位的字编址,该存储器需要20根地址线(2的20次方等于1M)。 对于第四个问题,由于构成了1M×32位的存储器,位扩展和字扩展都是4倍,因此字扩展后的地址范围为0~2的20次方除以4。
相关问题

设有16片512K×4位的SRAM芯片,回答以下问题: ‎ ‌(1)该SRAM芯片有多少根地址线?多少根数据线? ‎ ‌(2)构成1M×32位的存储器,如何进行位和字的扩展?(文字描述即可) ‎ ‌(3)如果按32位的字编址,该存储器需要多少地址线? ‎ ‌(4)分析字扩展后的地址范围。

1. 该SRAM芯片有16根地址线和8根数据线(512K=2^19,因为每个地址线可以表示2个状态,所以有2^16=65536个地址,每个地址有4位数据,所以需要8根数据线) 2. 进行位扩展,将每个512K×4位的SRAM芯片中的4位(即1字节)按照如下方式进行连接:首先,将每个芯片中的4位分别连接到4个4:1选择器的输入端,选择器的输出分别连接到每个位的信号线上,那么就形成了一个4位的字。然后,将16个4位的字按照相应的顺序进行连接即可。进行字扩展,则将16个512K×4位的SRAM芯片按照相应的顺序连接即可。 3. 如果按32位的字编址,则需要20根地址线(1M=2^20) 4. 进行位扩展后,总共有16个4位的字,每个字中的4位来自于不同的SRAM芯片,所以地址范围为:0~511K,512K~1023K,1M~1.5M,1.5M~2M,2M~2.5M,2.5M~3M,3M~3.5M,3.5M~4M,4M~4.5M,4.5M~5M,5M~5.5M,5.5M~6M,6M~6.5M,6.5M~7M,7M~7.5M,7.5M~8M。进行字扩展后,地址范围为0~1M。

要求用256k x 16位sram芯片设计1024k x 32位的存储器。sram芯片有两个控制端:当cs

为高电平时,表示片选有效,可以读写数据;当we为低电平时,表示写操作有效。根据题目要求,我们需要设计一个1024k x 32位的存储器,可以使用4个256k x 16位的SRAM芯片来实现。 首先,我们将4个SRAM芯片连接在一起,将它们的地址引脚和数据引脚连接起来。然后,将它们的片选CS引脚接到一个逻辑电路上,当对应的地址范围被选中时,逻辑电路会输出高电平,从而选择对应的SRAM芯片。 接下来,我们设计控制逻辑电路来控制写入和读取操作。当进行写操作时,我们将32位的数据分为两个16位的数据,分别写入两个选中的SRAM芯片里。 当进行读取操作时,我们将两个选中的SRAM芯片的输出数据连接到一个数据复用器上,通过控制复用器选择不同的输入端口来获取32位的数据。 此外,在内部控制逻辑电路中,当进行读操作时,需要将WE引脚设置为高电平,表示写操作无效。这样可以防止在读取操作中意外地将数据写入到SRAM芯片中。 综上所述,我们可以通过将4个256k x 16位的SRAM芯片连接起来,设计一个1024k x 32位的存储器。通过控制片选CS引脚和写操作使能WE引脚,我们可以实现对数据的读写操作。在读取操作中,需要将数据复用器设计为能够选择对应的SRAM芯片输出数据。

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