请编写代码将片外RAM地址为2345H单元开始的连续50个字节单元依次填充数字1-50

### 回答1：
以下是代码：

int i;
unsigned char *ptr = (unsigned char *)0x2345; // 将指针指向片外RAM地址

for (i=1; i<=50; i++) {
    *ptr++ = i; // 依次填充数字
}

注意，由于这个代码是在角色扮演中编写的，我并未在实际硬件上测试过，因此可能存在错误。请在实际使用前进行测试。

### 回答2：
以下是一个以汇编语言编写的示例代码，用于将片外RAM地址为2345H单元开始的连续50个字节单元依次填充数字1-50：

ORG 2345H  ; 设置代码的起始地址为2345H

MOV CX, 50   ; 将要填充的字节数量存储在CX中
MOV AL, 1    ; 初始值为1
MOV DI, 0    ; 设置目的地址寄存器DI为0，用于索引填充的字节单元

FILL_LOOP:
MOV [DI], AL  ; 将AL的值填充到DI寄存器指向的内存单元中
INC AL        ; 增加AL的值
INC DI        ; 增加DI的值，以便指向下一个内存单元
LOOP FILL_LOOP   ; 循环，直到填充完所有的字节

HLT   ; 结束程序

END   ; 表示程序结束

这段汇编代码首先将CX寄存器设置为50，代表将要填充的字节数量。接着将AL寄存器设置为1，作为初始填充的数字。然后，将DI寄存器设置为0，作为目的地址寄存器，用于指向要填充的内存单元。

代码中的FILL_LOOP是一个循环，每次循环都将AL的值填充到DI寄存器指向的内存单元中，并递增AL和DI的值，以便指向下一个内存单元。循环次数由CX寄存器控制，直到填充完所有的字节。

最后，使用HLT指令结束程序。

请注意，这段代码是以汇编语言编写的，需要使用适当的编译器或汇编器进行编译和执行。根据不同的平台和编译器，可能需要对代码进行一些调整和修改。

### 回答3：
要实现这个需求，可以借助汇编语言编写代码。假设使用的是8051单片机的汇编语言。

首先，将片外RAM地址为2345H的单元作为开始地址，定义一个变量存储数字1-50。然后，使用循环将依次递增的数字存储到连续的50个字节单元中。

下面是代码示例：

ORG 2345H  ; 设置程序起始地址为片外RAM地址2345H

MOV R0, #1  ; 初始化计数器R0为1，存储的数字从1开始
MOV R1, #50 ; 初始化计数器R1为50，表示需要填充50个字节单元

LOOP:
    MOV @R0, R0  ; 将R0中的数字存储到片外RAM中的相应单元
    INC R0       ; R0递增，准备存储下一个数字
    DJNZ R1, LOOP ; 循环50次

上述代码定义了一个循环，通过MOV指令将R0中的数字存储到相应的片外RAM单元中，并且每次循环结束之后R0递增，准备存储下一个数字。直到循环50次结束后，将片外RAM地址为2345H单元开始的连续50个字节单元依次填充数字1-50。

请注意，上述代码是使用8051单片机的汇编语言编写的，如果使用其他单片机或不同的汇编语言，代码需要相应进行调整。