双端口SRAM,里面存储cache中的tag标记信息。分为四组，每组4个tag块，每块22位，用verilog实现

好的，以下是一个简单的 Verilog 代码示例，用于实现一个双端口SRAM，里面存储cache中的tag标记信息。该SRAM被分为四组，每组包含4个tag块，每个tag块有22位。

module dual_port_sram (
    input clk,
    input we1, we2,
    input [1:0] addr1, addr2,
    input [21:0] din1, din2,
    output [21:0] dout1, dout2
);

reg [21:0] mem [3:0][3:0];

always @(posedge clk) begin
    if (we1)
        mem[addr1[1:0]][addr1[3:2]] <= din1;
    if (we2)
        mem[addr2[1:0]][addr2[3:2]] <= din2;
end

assign dout1 = mem[addr1[1:0]][addr1[3:2]];
assign dout2 = mem[addr2[1:0]][addr2[3:2]];

endmodule

这个代码模块定义了一个名为 `dual_port_sram` 的模块，该模块有两个读写端口（`we1`，`addr1` 和 `din1` 是端口1的输入，`dout1` 是端口1的输出；`we2`，`addr2` 和 `din2` 是端口2的输入，`dout2` 是端口2的输出），以及一个时钟输入 `clk`。在 always 块中，如果一个写使能被设置，则将输入数据写入到指定的地址中。在赋值语句中，将指定地址中的数据赋值给对应的输出端口。这样，我们就可以在SRAM中存储和读取cache中的tag标记信息了。

需要注意的是，这个代码示例是比较简单的实现，实际情况中可能需要考虑更多的细节和优化。同时，我们还需要根据实际情况来选择合适的时序和存储结构，以满足设计需求。