真实双端口SRAM,里面存储cache中的tag标记信息。分为四组,每组4个tag块,每块22位,用verilog实现
时间: 2024-03-09 17:47:37 浏览: 14
好的,以下是一个简单的 Verilog 代码示例,用于实现一个真实的双端口SRAM,里面存储cache中的tag标记信息。该SRAM被分为四组,每组包含4个tag块,每个tag块有22位。
```
module dual_port_sram (
input clk,
input we1, we2,
input [1:0] addr1, addr2,
input [21:0] din1, din2,
output [21:0] dout1, dout2
);
reg [21:0] mem [3:0][3:0];
always @(posedge clk) begin
if (we1)
mem[addr1[1:0]][addr1[3:2]] <= din1;
if (we2)
mem[addr2[1:0]][addr2[3:2]] <= din2;
end
assign dout1 = mem[addr1[1:0]][addr1[3:2]];
assign dout2 = mem[addr2[1:0]][addr2[3:2]];
endmodule
```
这个代码模块定义了一个名为 `dual_port_sram` 的模块,该模块有两个读写端口(`we1`,`addr1` 和 `din1` 是端口1的输入,`dout1` 是端口1的输出;`we2`,`addr2` 和 `din2` 是端口2的输入,`dout2` 是端口2的输出),以及一个时钟输入 `clk`。在 always 块中,如果一个写使能被设置,则将输入数据写入到指定的地址中。在赋值语句中,将指定地址中的数据赋值给对应的输出端口。这样,我们就可以在SRAM中存储和读取cache中的tag标记信息了。
需要注意的是,这个代码示例是比较简单的实现,实际情况中可能需要考虑更多的细节和优化。同时,我们还需要根据实际情况来选择合适的时序和存储结构,以满足设计需求。