静态半导体存储器与动态半导体存储器的主要区别是什么？

静态半导体存储器（Static Random Access Memory，SRAM）和动态半导体存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是两种常见的半导体存储器。

主要区别如下：

1. 存储方式不同：SRAM使用触发器存储数据，DRAM使用电容存储数据。
2. 存储密度不同：由于DRAM使用电容存储数据，因此DRAM的存储密度比SRAM高。
3. 动态性不同：由于DRAM的电容会逐渐失去电荷，因此需要经常刷新以保持数据的正确性，而SRAM则不需要刷新。
4. 速度不同：SRAM比DRAM快，因为SRAM不需要刷新操作，并且可以同时读取和写入数据。

综上所述，SRAM更适用于需要快速访问和高性能的应用，而DRAM则更适用于需要高存储密度和低成本的应用。