存储器读写实验6116片选信号形成电路图

6116是一种静态随机存储器（SRAM），其读写操作需要配合片选信号。以下是6116片选信号形成电路图：


该电路图由以下几部分组成：

1. 地址线选择器：用于选择SRAM的地址线。本例中使用的是74LS138译码器，其将三个地址线A13~A15作为输入，并根据输入的地址选择其中一个输出端口，将输出端口对应的地址线拉低。这样就可以选择SRAM的地址。

2. 片选信号产生器：用于产生SRAM的片选信号。本例中使用的是74LS00 NAND门，其将74LS138译码器的三个输出端口作为输入，并将所有输出端口进行与运算，得到一个总的片选信号。如果译码器选择的地址对应SRAM中的地址，那么总的片选信号就会被拉低，表示SRAM被选中。

3. 控制信号发生器：用于产生SRAM的读写控制信号。本例中使用的是74LS02 NOR门，其将74LS138译码器的三个输出端口作为输入，并将其中两个输出端口进行或运算，得到一个读信号。同时，将其中一个输出端口与另外两个输出端口进行或运算，得到一个写信号。这样就可以根据译码器选择的地址产生相应的读写控制信号。

以上就是6116片选信号形成电路图的详细说明。需要注意的是，该电路图仅作为参考，实际应用中还需要根据具体的需求进行调整和修改。

相关问题

结合图2-6的存储器实验电路图，说明在TEC-6模型计算机中是如何实现存储器的读写

TEC-6模型计算机中的存储器读写是通过以下步骤完成的，结合图2-6的存储器实验电路图进行说明：

1. CPU向地址总线上写入要访问的存储单元的地址，向数据总线上写入要存储的数据（写操作）或者写入无意义数据（读操作）。

2. 存储器通过地址译码器选择要访问的存储单元，并将数据从数据总线上读取（读操作）或者将数据写入数据总线上（写操作）。

3. 通过RAMBUS信号的控制，CPU向存储器发出读或写的指令，存储器进行相应的操作，从而完成存储器的读写。

4. 通过SWBUS信号的控制，存储器将读取到的数据或者写入的数据通过数据总线传输到CPU中的寄存器中。

5. 在存储器的读写操作完成后，CPU会根据需要向地址总线写入下一个存储单元的地址，并根据需要进行相应的读写操作，从而实现存储器中数据的读写。

因此，通过CPU、地址总线、数据总线、存储器、地址译码器、RAMBUS信号、SWBUS信号等多个部件的协同作用，TEC-6模型计算机可以实现存储器的读写操作。