镁光nand flash 资料
镁光NAND闪存是存储技术中的一个重要组成部分,主要用于固态硬盘、USB闪存盘、数字存储卡等各种电子设备中。镁光作为全球知名的存储芯片制造商,其NAND闪存产品系列广泛应用于各个领域,以满足不同用户对高性能、大容量存储解决方案的需求。从给定文件内容中,我们可以提炼出以下知识点: 1. 镁光NAND闪存规格: 镁光NAND闪存提供了多种容量选项,包括64Gb、128Gb、256Gb和512Gb,支持不同的应用需求。例如,MT29F64G08AB[C/E]BB、MT29F128G08AE[C/E]BB、MT29F256G08AK[C/E]BB、MT29F256G08AM[C/E]BB和MT29F512G08AU[C/E]BB等型号的NAND闪存就是根据存储容量的不同而设计。 2. NAND闪存组织结构: NAND闪存由页(Page)、块(Block)和面(Plane)组成。每页的大小为17,600字节,包括16,384字节的数据和1,216字节的额外空间用于存储错误校正码(ECC)。每个块由256页组成,而每个面由1048个块组成。不同容量的NAND闪存具有不同的块数,例如64Gb产品拥有2096块,而512Gb产品则有16,768块。 3. 接口规范与性能: 镁光NAND闪存支持异步和同步接口规范,包括ONFI 3.0标准和JEDEC NAND Flash Interface Interoperability标准,以适应不同的使用场景和性能要求。例如,NV-DDR2接口下,读写吞吐量可达333MT/s(百万次转换每秒),而NV-DDR接口下的读写吞吐量为200MT/s。异步模式下,读写吞吐量为50MT/s。 4. 操作电压范围: NAND闪存的操作电压范围为VCC:2.7-3.6V,VCCQ:1.7-1.95V,2.7V-3.6V。这意味着NAND闪存可以在较宽的电压范围内稳定工作。 5. 高级命令集与性能: 除了标准的NAND命令集,镁光NAND闪存还支持如程序缓存、顺序读取缓存、随机读取缓存、一次可编程(OTP)模式、多平面命令、多逻辑单元操作、读取唯一ID、复制回读取重试等高级命令集,以提高整体性能和效率。 6. 物理特性和可靠性: 镁光NAND闪存具有良好的物理特性和可靠性。例如,第一块(起始块地址为00h)在出厂时是有效的。所有NAND闪存均符合JESD47标准的数据保持能力,并具有50,000次编程/擦除(P/E)周期的耐用性。商业产品的操作温度范围为0°C至+70°C,工业级产品为-40°C至+85°C。 7. 封装类型: 镁光NAND闪存采用了152球BGA封装,这种封装具有较小的尺寸和更高的引脚数量,能够满足高密度应用的需求。 8. 软件与硬件特性: 为了便于软件检测操作的完成、成功与否以及写保护状态,镁光NAND闪存提供了操作状态字节。另外,数据选通(DQS)信号支持NV-DDR/NV-DDR2接口中的数据DQ同步。 根据这些知识点,我们可以了解到镁光NAND闪存的许多特性和功能。此外,对于有兴趣进行深入研究的专业人士或学生来说,文件中提供的ONFI 3.0标准链接可能是一个有用的资源,他们可以通过这个链接获取更多关于NAND闪存接口的详细信息。尽管文档中存在一些OCR扫描错误或遗漏,但大部分信息已经足够清晰,可以让我们对镁光NAND闪存技术有一个全面的了解。