如何CMOS工艺中的nmos和pmos晶体管来构建简单d触发器,并给出原理图
时间: 2024-02-29 10:54:22 浏览: 22
在CMOS工艺中,可以使用nmos和pmos晶体管来构建d触发器。下面是一个简单的d触发器的原理图:
![d触发器原理图](https://i.imgur.com/nTlPSmQ.png)
在上图中,M1和M2是两个nmos晶体管,M3和M4是两个pmos晶体管,CLK是时钟信号输入,D是数据输入,Q是输出。
当时钟信号CLK为高电平时,M1和M4导通,M2和M3截止,此时d输入传输到Q输出端,因为M1和M4的导通,使得Q输出为D输入的电平。当时钟信号CLK为低电平时,M2和M3导通,M1和M4截止,此时Q输出保持原来的状态。
具体实现过程如下:
1. 两个pmos晶体管M3和M4的源极分别连接VDD电源,漏极连接d触发器的输出Q。
2. 两个nmos晶体管M1和M2的源极分别连接地电源,漏极连接d触发器的输入D。
3. 时钟信号CLK经过一个反相器得到时钟信号CLK',CLK'通过两个反相器得到CLK_INV。
4. CLK_INV连接到M1和M2的栅极,CLK连接到M3和M4的栅极。
5. 当时钟信号CLK为高电平时,M1和M4导通,M2和M3截止,此时d输入传输到Q输出端,输出为D输入的电平。
6. 当时钟信号CLK为低电平时,M2和M3导通,M1和M4截止,此时Q输出保持原来的状态。
这样,我们就用nmos和pmos晶体管构建了一个简单的d触发器。
相关问题
如何CMOS工艺中的nmos和pmos晶体管来构建电平触发D触发器
在CMOS工艺中,可以使用nmos和pmos晶体管来构建电平触发D触发器。下面是一个简单的电平触发D触发器的原理图:
![电平触发D触发器原理图](https://i.imgur.com/o1U5nY2.png)
在上图中,M1和M2是两个nmos晶体管,M3和M4是两个pmos晶体管,CLK是时钟信号输入,D是数据输入,Q是输出。
当时钟信号CLK为高电平时,M1和M4导通,M2和M3截止,此时d输入传输到Q输出端,因为M1和M4的导通,使得Q输出为D输入的电平。当时钟信号CLK为低电平时,M2和M3导通,M1和M4截止,此时Q输出保持原来的状态。
具体实现过程如下:
1. 两个pmos晶体管M3和M4的源极分别连接VDD电源,漏极连接d触发器的输出Q。
2. 两个nmos晶体管M1和M2的源极分别连接地电源,漏极连接d触发器的输入D。
3. 时钟信号CLK经过一个反相器得到时钟信号CLK',CLK'通过一个反相器得到CLK_INV。
4. CLK_INV连接到M1和M2的栅极,CLK连接到M3和M4的栅极。
5. 当时钟信号CLK为高电平时,M1和M4导通,M2和M3截止,此时d输入传输到Q输出端,输出为D输入的电平。
6. 当时钟信号CLK为低电平时,M2和M3导通,M1和M4截止,此时Q输出保持原来的状态。
这样,我们就用nmos和pmos晶体管构建了一个简单的电平触发D触发器。
判断电路图中的nmos和pmos管
在电路图中,nmos管和pmos管可以通过以下几个特征来判断:
1. 栅极和源极之间的箭头指向:nmos管的箭头指向栅极,pmos管的箭头指向源极。
2. 栅极与基准电压之间的电势关系:nmos管的栅极电势高于基准电压(一般为地),pmos管的栅极电势低于基准电压。
3. 漏极与基准电压之间的电势关系:nmos管的漏极电势低于基准电压,pmos管的漏极电势高于基准电压。
通过上述特征,可以判断电路图中的nmos和pmos管。需要注意的是,同一个电路中可能存在多个nmos和pmos管,需要仔细辨别。