VASP分子动力学计算中如何施加应力大小?是通过INCAR中的参数设置吗?那该应力所对应的应变又如何计算?
时间: 2023-07-16 15:12:29 浏览: 92
在VASP分子动力学计算中,可以通过在INCAR文件中设置ISIF参数来施加应力。具体来说,ISIF参数控制了晶格常数和原子位置的优化方式,其中ISIF=2表示对晶格常数进行优化,同时施加外部应力;ISIF=3表示对晶格常数和原子位置进行优化,同时施加外部应力。
关于应力大小的设置,可以在INCAR文件中设置外部应力矩阵的值,即S_xx, S_yy, S_zz, S_xy, S_xz, S_yz六个参数。这些参数分别对应着外部应力矩阵的六个分量,可以根据需要设置其值。
而应力所对应的应变可以通过计算得到。在VASP中,可以通过设置IBRION=0和ISIF=2或3来进行静态计算,此时计算得到的POSCAR文件中包含了应变信息。具体来说,POSCAR文件中的第二行到第四行分别表示了晶格常数和晶格常数的三个主轴方向的应变。可以通过计算均方根平均值来得到等效应变。
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VASP分子动力学计算中如何施加应力?是通过参数设置吗?那该应力所对应的应变又如何计算?
在VASP分子动力学计算中,可以通过设置外部应力场来施加应力。具体来说,可以通过在INCAR文件中设置IBRION参数为2来开启外部应力场,然后在POSCAR文件中设置Lattice parameters来定义材料的晶格常数。通过施加外部应力场,材料会发生形变,此时可以根据形变前后的晶格常数计算出应变。
应变的计算方法如下:
假设材料的初始晶格常数为a,施加应力后晶格常数变为a',则应变ε可以通过以下公式计算:
ε = (a' - a) / a
其中,a和a'分别表示形变前后的晶格常数。
VASP分子动力学计算中如何设置施加应力大小?是通过External pressure参数吗?
在VASP分子动力学计算中,可以通过设置外部应力来模拟压力或张力的影响。这可以通过在INCAR文件中设置`external_pressure`参数来实现。该参数用于指定外部应力的大小和方向,其单位为千巴。例如,要施加10千巴的应力,可以在INCAR文件中添加以下行:
```
external_pressure = 10.0 0.0 0.0
```
其中,第一个数字表示x方向上的应力大小,第二个数字表示y方向上的应力大小,第三个数字表示z方向上的应力大小。这里我们只施加了x方向上的应力,而其他两个方向上的应力被设置为0。
需要注意的是,当使用外部应力时,除了`external_pressure`参数之外,还需要设置`ISIF`参数,以指定需要优化的结构参数。通常,对于分子动力学计算,可以将`ISIF`设置为2或3,以确保晶体中的原子位置可以适应外部应力。