1. 编程实现如下功能： a) 将下面长度为16的字节常数存入首地址为$0160的连续Flash 存储单元： 0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07 0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x7； b) 将上面存储在 Flash 中的 16 个字节单元的数据块依次赋值给 起始地址为$0230 的 SRAM 内存块的相应内存单元中； c) 将上面 SRAM 内存中起始地址为$0230 的 16 个字节的数据块 整体复制到起始地址为$0320 的内存块中；

这是一个比较基础的嵌入式系统题目，假设我们使用的是类似于C语言的汇编语言，那么可以实现如下：

; 存储常数到Flash
LDI R16, 0x16 ; 将首地址为$0160的连续Flash存储单元的地址存储到R16寄存器中
LDI R17, 0x00
LDI R18, 0x3f ; 存储第一个字节
LDI R19, 0x06 ; 存储第二个字节
LDI R20, 0x5b ; 存储第三个字节
LDI R21, 0x4f ; 存储第四个字节
LDI R22, 0x66 ; 存储第五个字节
LDI R23, 0x6d ; 存储第六个字节
LDI R24, 0x7d ; 存储第七个字节
LDI R25, 0x07 ; 存储第八个字节
LDI R26, 0x7f ; 存储第九个字节
LDI R27, 0x6f ; 存储第十个字节
LDI R28, 0x77 ; 存储第十一个字节
LDI R29, 0x7c ; 存储第十二个字节
LDI R30, 0x39 ; 存储第十三个字节
LDI R31, 0x5e ; 存储第十四个字节
ST R18, X+ ; 存储第一个字节到Flash
ST R19, X+ ; 存储第二个字节到Flash
ST R20, X+ ; 存储第三个字节到Flash
ST R21, X+ ; 存储第四个字节到Flash
ST R22, X+ ; 存储第五个字节到Flash
ST R23, X+ ; 存储第六个字节到Flash
ST R24, X+ ; 存储第七个字节到Flash
ST R25, X+ ; 存储第八个字节到Flash
ST R26, X+ ; 存储第九个字节到Flash
ST R27, X+ ; 存储第十个字节到Flash
ST R28, X+ ; 存储第十一个字节到Flash
ST R29, X+ ; 存储第十二个字节到Flash
ST R30, X+ ; 存储第十三个字节到Flash
ST R31, X ; 存储第十四个字节到Flash

; 将Flash中的数据块赋值给SRAM内存块
LDI R16, 0x30 ; 将起始地址为$0230的SRAM内存块的地址存储到R16寄存器中
LDI R17, 0x02
LDI R18, 0x16 ; 将首地址为$0160的Flash存储单元的地址存储到R18寄存器中
LDI R19, 0x00
LDI R20, 0x10 ; 将数据块的长度存储到R20寄存器中
LDIR ; 将Flash中的数据块按字节依次赋值给SRAM内存块的相应内存单元中

; 将SRAM内存中的数据块整体复制到另一个内存块中
LDI R16, 0x20 ; 将起始地址为$0320的内存块的地址存储到R16寄存器中
LDI R17, 0x03
LDI R18, 0x30 ; 将起始地址为$0230的SRAM内存块的地址存储到R18寄存器中
LDI R19, 0x02
LDI R20, 0x10 ; 将数据块的长度存储到R20寄存器中
LDIR ; 将SRAM内存中的数据块整体复制到另一个内存块中

以上代码实现了题目要求的三个功能，分别是将常数存储到Flash中、将Flash中的数据块赋值给SRAM内存块、将SRAM内存中的数据块整体复制到另一个内存块中。具体实现细节可以根据具体的嵌入式系统和汇编语言进行调整。