红外探测器按类型分，有哪几种？分别的区别是什么？

按照类型，红外探测器可以分为以下几种：

1. 热释电型红外探测器：利用材料的热释电效应，当红外辐射照射在材料上时，材料温度发生变化，产生电信号。这种探测器具有灵敏度高、可靠性好、成本低等优点，但是响应时间较长，不能适应高速运动目标的检测。

2. 热成像型红外探测器：采用红外焦平面技术，将红外辐射转化为电信号图像显示出来，可以实现对目标区域的全景监测。这种探测器具有响应速度快、精度高、可靠性好等优点，但是成本较高。

3. 热电型红外探测器：利用热电效应产生电信号，它的响应速度较快，精度较高，但是受制于材料的热扩散，无法适应高速运动目标的检测。

4. 热导型红外探测器：利用材料的热导性质，当红外辐射照射在材料上时，材料温度发生变化，产生电信号。这种探测器响应速度较快，但是灵敏度较低，适用于低辐射能量的检测。

总之，不同类型的红外探测器在原理、性能和应用范围等方面都存在差异。选择合适的红外探测器需要根据具体的应用场景和需求来决定。

相关问题

三代像增强器的特点分别是什么？

### 回答1：
三代像增强器的特点如下：

1. 高光子计数率：第三代像增强器采用了背照式光电二极管技术，能够将光子探测效率提高到50%以上，同时还可以实现高达数百万帧每秒的高速成像。

2. 高分辨率：第三代像增强器采用了微通道板技术，能够将分辨率提高到50线对每毫米以上，使得成像画面更加清晰细腻，能够看到更多的细节。

3. 低光级成像：第三代像增强器不仅能够在极低光条件下工作，而且还能够对弱光信号进行放大，从而实现低光级成像，使得在夜间或者光线较弱的环境下也可以获得高质量的图像。

4. 宽光谱响应：第三代像增强器采用了多元化的光敏材料，能够实现对可见光和红外光的响应，从而扩展了成像的光谱范围，使得成像更加全面。

5. 低功耗：第三代像增强器采用了低功耗电子器件，相比第二代像增强器，功耗降低了30%以上，从而使得设备更加节能环保。

### 回答2：
三代像增强器是一种电子光学设备，主要用于改善夜视能力。它通过增强微弱光线信号，使得用户能够在黑暗环境中更清晰地观察物体。相较于一代和二代像增强器，三代像增强器具有以下几个特点。

首先，三代像增强器采用了更高级别的光电转换技术。它使用了一种称为镓砷化物的半导体材料，并将其与光电二极管结合在一起。这种材料与一代和二代像增强器使用的砷化镓相比，具有更高的电子迁移率和更低的噪声水平。这使得三代像增强器在低光条件下产生更清晰、更亮的图像。

其次，三代像增强器引入了微通道板技术。微通道板是一种多孔的结构，由上千个细小的通道组成。当光进入通道时，通道内的电子倍增器将光子转换为电子，并通过连续倍增作用，增加了图像的亮度和清晰度。这种技术使得三代像增强器在低光和极低光条件下都能提供高质量的图像增强效果。

最后，三代像增强器还具备更高的灵敏度和扩大范围。它能够接收到更微弱的光信号，并将其放大到可见范围内。同时，它具有更宽的光谱范围，可以对更多波长的光进行增强，使得使用者能够看到更广泛的光谱信息。

总的来说，三代像增强器在光电转换技术、微通道板技术和增强范围方面都相较于早期的一代和二代设备有了显著的提升，使得用户能够在更底光照条件下获得更清晰、更亮的图像。

目前业界主流的非制冷红外探测器芯片的型号有哪些，面阵（fpa）为多大

目前业界主流的非制冷红外探测器芯片型号有很多，常见的有以下几种：

1. VOx（Vanadium Oxide）芯片
2. a-Si（Amorphous Silicon）芯片
3. InAs（Indium Arsenide）芯片
4. MCT（Mercury Cadmium Telluride）芯片
5. QWIP（Quantum Well Infrared Photodetector）芯片

这些芯片的面阵（FPA）大小也有所不同，一般在 320x240 或者 640x480 的面阵较为常见。当然，也有更大的面阵，如 1024x768 等，但这些芯片价格较高，应用范围较为专业。对于一般的红外成像应用，320x240 或者 640x480 的面阵已经能够满足大部分需求。