stm32L431 内部flash写数据是怎么写的？怎么连续写？是几个字节写入

在STM32L431微控制器中，可以使用HAL库提供的函数来进行内部Flash的编程和擦除。具体来说，HAL库提供了以下函数：

1. HAL_FLASH_Unlock()：解锁Flash，使其可以被编程或擦除。
2. HAL_FLASH_Program()：将数据写入Flash中。可以指定写入的地址和数据，每次只能写入一个字（32位）。
3. HAL_FLASH_Erase()：擦除Flash的一个或多个扇区。

为了连续写入数据，可以使用循环来多次调用HAL_FLASH_Program()函数，每次写入一个字节或一个字（根据数据类型而定）。需要注意的是，每次写入数据之前都需要先解锁Flash，并且每次写入数据之后都需要进行Flash的扇区擦除操作。

对于连续写入数据，可以使用以下示例代码：

// 在main函数中调用以下函数
void write_flash(void)
{
  uint32_t address = 0x08008000; // 写入数据的起始地址
  uint32_t data[4] = {0x11223344, 0x55667788, 0x99AABBCC, 0xDDEEFF00}; // 要写入的数据
  HAL_StatusTypeDef status;

  // 解锁Flash
  HAL_FLASH_Unlock();

  // 写入数据
  for (int i = 0; i < 4; i++) {
    status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, data[i]);
    address += 4; // 每次写入一个字，地址需要加4
    if (status != HAL_OK) {
      // 写入失败处理
    }
  }

  // 锁定Flash
  HAL_FLASH_Lock();
}

需要注意的是，由于Flash的编程和擦除操作都会消耗一定的时间，因此在进行连续写入数据时，需要进行适当的延时等待。此外，由于Flash的写入操作会导致Flash中原有数据的丢失，因此在进行写入操作时，需要先备份原有的数据以便后续恢复。