如何在Quartus II软件中设计并仿真一个128×8位的SRAM存储单元，并展示其地址空间与数据读写过程的仿真波形？

要设计并仿真一个128×8位的SRAM存储单元，首先需要了解SRAM的基本工作原理和特性。SRAM是基于静态存储原理的，允许数据的快速读写操作，但是其存储单元数量较少，成本较高。在Quartus II软件中，可以通过使用lpm_ram_dq参数化存储单元来构建SRAM模型。以下是详细的步骤：

参考资源链接：[半导体存储器实验：RAM与ROM的原理与仿真](https://wenku.csdn.net/doc/2janxnru9x?spm=1055.2569.3001.10343)

1. 打开Quartus II软件，创建一个新的项目，并选择适合的FPGA或CPLD芯片型号。
2. 在项目中添加一个新的VHDL或Verilog文件，用于编写SRAM的硬件描述语言代码。
3. 在代码中定义一个128×8位的RAM存储单元数组，确定其地址空间为80H到FFH。
4. 使用适当的数据类型和初始化方法来定义存储单元的初始值。
5. 编写数据读写逻辑，实现对SRAM存储单元的数据写入和读取操作。
6. 生成仿真波形文件，利用Quartus II的仿真工具对SRAM模块进行测试。
7. 在仿真环境中，模拟不同的地址选择和数据输入，观察波形图中读写操作的时序是否符合预期。
8. 分析仿真结果，确保在规定的时间窗口内完成读写操作，保证数据的完整性和系统的稳定性。

实验中，可以参考《半导体存储器实验：RAM与ROM的原理与仿真》一书，书中详细介绍了如何使用Quartus II软件进行SRAM和ROM的设计和仿真，包括代码示例和仿真波形分析，对于掌握SRAM的工作原理及在数字系统中的应用具有极大的帮助。

通过本次实验，你可以深入理解SRAM的工作机制，以及如何在Quartus II软件中实现电路设计和仿真。为了进一步提高设计能力和深入理解，可以进一步阅读更多关于存储器设计的专业书籍，或者参考Quartus II官方文档中的高级仿真功能和最佳实践，以提高设计的可靠性和效率。

参考资源链接：[半导体存储器实验：RAM与ROM的原理与仿真](https://wenku.csdn.net/doc/2janxnru9x?spm=1055.2569.3001.10343)