英飞凌CoolSiC™2000V SiC TrenchMOSFET技术规格

"INFINEON英飞凌的IMYH200R100M1H是一款基于CoolSiC™技术的2000V SiC Trench MOSFET（硅碳化硅沟槽MOSFET），适用于工业应用。这款电子元器件具有26A的连续电流能力，在25°C的结温下，开启电阻RDS(on)为100毫欧姆，栅极阈值电压VGS(th)为4.5V，适合硬开关操作。其特性包括极低的开关损耗、稳健的体二极管设计以及XT互连技术，确保最佳的热性能。该芯片可用于光伏逆变器、太阳能功率优化器和电动汽车充电等领域。已按照JEDEC 47/20/22的相关测试对产品进行了验证，并提供了AN2019-05应用笔记以供功率和热循环参考。封装类型为PG-TO247-4-PLUS-NT14，标识代码为20M1H100。" IMYH200R100M1H是英飞凌科技推出的CoolSiC™系列中的2000V硅碳化硅沟槽MOSFET，这款器件在高温和高压环境下表现出卓越的性能。其中，2000V的额定电压（VDSS）保证了它在高电压系统中的稳定工作，而26A的连续漏极电流（IDCC）则意味着它能处理较大的负载电流。100毫欧姆的开启电阻（RDS(on)）确保了低损耗的开关操作，这在需要频繁开关的电力转换系统中非常重要，因为它直接影响到系统的效率。 英飞凌的XT互连技术是这款器件的一大亮点，它提升了器件的热性能，使芯片能够在高功率应用中保持较低的温度，从而延长了使用寿命并降低了系统的热管理难度。此外，这款MOSFET内置的体二极管设计坚固耐用，适用于硬开关操作，这对于需要快速切换的应用来说至关重要。 该芯片的潜在应用广泛，涵盖了光伏领域的串行逆变器和太阳能功率优化器，以及电动汽车充电站等高功率需求场景。其工业级的认证表明，IMYH200R100M1H已经通过了JEDEC的相关测试，可适应各种严苛的工作环境。 封装方面，IMYH200R100M1H采用PG-TO247-4-PLUS-NT14封装，这种封装设计有助于散热和电气隔离，同时也方便安装和维护。需要注意的是，源极和感测引脚不可互换，以免导致功能异常（仅针对4引脚的TO263-7L封装）。对于设计者和工程师来说，阅读文档中的"重要通知"和"警告"部分是非常必要的，以确保正确安全地使用这款MOSFET。