英飞凌CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET技术规格与应用

"INFINEON英飞凌的IMYH200R075M1H是一款基于CoolSiC™技术的2000V SiC Trench MOSFET芯片，具备高性能和优化的热特性。这款元器件设计用于高压应用，如光伏逆变器、太阳能功率优化器和电动汽车充电设备。" IMYH200R075M1H是英飞凌科技推出的采用先进SiC（硅碳化物）技术的2000伏特（VDSS）沟槽MOSFET。在结温Tvj为25°C的情况下，它能承受的最大连续电流IDCC为34安培，且在同样温度下，其漏源导通电阻RDS(on)仅为75毫欧，这确保了低损耗的高效开关性能。其门阈电压VGS(th)为4.5V，具有卓越的稳定性和可控制性。 这款MOSFET采用了英飞凌独特的.XT互联技术，以实现同类产品中的最佳热性能。这种技术有助于在高功率运行时降低芯片温度，从而提高系统的可靠性和耐久性。此外，IMYH200R075M1H还内置了一个坚固的体二极管，适合硬开关操作，进一步增强了其在各种应用中的适应性。 该器件适用于各种工业环境，已根据JEDEC 47/20/22的相关测试进行资格认证。用户还应注意，英飞凌提供了AN2019-05应用笔记，其中包含了关于功率和热循环的详细指导。在封装方面，IMYH200R075M1H采用PG-TO247-4-PLUS-NT14封装，标记为20M1H075。 该器件有4个引脚，分别为：1 - 漏极，2 - 源极，3 - 凯尔文感测接触，4 - 根门。值得注意的是，源极和感测引脚不交换，交换可能会导致功能异常（仅针对4引脚，TO263-7L封装）。使用此器件时，请务必阅读文档末尾的“重要通知”和“警告”部分，以确保正确和安全的操作。 总结来说，IMYH200R075M1H是一款高性能的2000V SiC Trench MOSFET，其低RDS(on)、.XT互联技术和内置硬开关体二极管等特点，使其成为高电压、大功率应用的理想选择。英飞凌通过严格的质量验证和测试，确保了这款产品在工业环境中的可靠表现。