英飞凌 CoolSiC™ 2000V 高压MOSFET：创新散热与应用

英飞凌（INFINEON）推出的IMYH200R024M1H是一款高性能的CoolSiC™ 2000V SiC trench MOSFET，这是一款基于硅 carbide（SiC）技术的沟槽型场效应晶体管，特别设计用于高压和高温环境下，旨在提供卓越的效率和可靠性。该器件具有以下关键特性： 1. **高耐压**：在25°C下，其最大电压等级（VDSS）高达2000V，这意味着它能够承受极高的电压，适用于对安全性要求严格的高压应用，如串行逆变器、太阳能功率优化器和电动汽车充电系统。 2. **大电流能力**：在标准工作温度（Tc=25°C）下，ID（漏电流）可达到89A，确保了强大的电流传输能力，支持高效能的电力转换。 3. **低开关损耗**：由于采用XT互连技术，这款MOSFET具有非常低的开关损耗，有助于减少能耗并提高整体系统效率。 4. **优秀的阈值电压**：栅极阈值电压（VGS(th)）仅为4.5V，这在同类产品中是出色的，有利于更快速和精确的控制。 5. **坚固的体二极管**：设计有专门的硬开通体二极管，确保在硬开关操作时具有良好的保护性能。 6. **卓越的热性能**：XT互连技术进一步提升了散热性能，使其在高温条件下也能保持稳定的工作状态。 7. **应用范围广泛**：IMYH200R024M1H适用于各种工业级应用，符合JEDEC标准47/20/22的要求，并推荐参考应用笔记AN2019-05，涉及电源和热循环测试。 8. **封装与标记**：该器件采用TO247-4-PLUS-NT14封装，具有清晰的标记便于识别，型号包括20M1H024和IMYH200R024M1H。 在使用前，请务必阅读文档中的“重要通知”和“警告”部分，以了解潜在风险和注意事项。此数据表提供了产品描述、引脚配置以及修订历史，方便用户了解详细规格并确保安全、有效的集成到电路设计中。修订1.01版本的发布日期为2022年10月6日，访问Infineon官网获取最新技术支持和文档更新。