Elpida Memory HM5117805 DDR3 EDO RAM 数据手册

"这是Elpida Memory公司的DDR3 SDRAM芯片HM5117805的中文数据手册，适用于高性能、低功耗的应用场景。该手册详细介绍了芯片的特性、功能以及订购信息。" DDR3 SDRAM（Double Data Rate Third Generation Synchronous Dynamic Random-Access Memory）是内存技术的一种，它在时钟的上升沿和下降沿均传输数据，相比DDR2，DDR3具有更高的数据传输速率和更低的功耗。Elpida Memory的HM5117805系列是16兆位（2-Mword）双倍数据率同步动态随机存取存储器，组织结构为2,097,152字×8位。 这款芯片的主要特点包括： 1. **单一5V电源**：工作电压范围为±10%，确保了稳定的工作环境。 2. **访问时间**：提供50ns/60ns/70ns的最大访问时间，这决定了数据读写的速度。 3. **功耗管理**：在活动模式下最大功耗分别为605mW/550mW/495mW，待机模式下仅为11mW（L版本更是低至0.83mW），体现了其低功耗设计。 4. **扩展数据输出（EDO）页面模式**：这种模式允许更高的数据传输速度。 5. **长刷新周期**：支持2048个刷新周期，周期为32ms（L版本则为128ms），保证了数据的稳定性。 6. **多种刷新方式**：包括RAS-only刷新、CAS-before-RAS刷新、隐藏刷新和自我刷新（仅L版本支持）。 7. **电池备份操作（L版本）**：在断电情况下，L版本的HM5117805仍能保持数据安全，提高了系统的可靠性。 封装形式上，HM5117805可采用标准的28引脚塑料SOJ（Small Outline J-lead）和28引脚TSOP（Thin Small Outline Package）封装，适应不同的硬件设计需求。 订购信息部分未在提供的内容中列出，通常会包含芯片的不同版本、封装选项、批号、订购代码等详细信息，这些信息对于选择适合特定应用的正确产品至关重要。 Elpida Memory的HM5117805 DDR3 SDRAM芯片是面向高性能计算和低功耗设备的理想选择，其特性设计兼顾了速度与效率，且提供了电池备份功能（L版本），增加了系统运行的稳定性和安全性。在设计嵌入式系统或服务器平台时，这种内存芯片可以提供高效的内存解决方案。