Elpida Memory HM5117805LJ-5 DDR3 EDO DRAM规格说明书

"这是Elpida Memory公司的DDR3 SDRAM芯片HM5117805LJ-5的中文数据手册，适用于高速低功耗应用，具有Extended Data Out (EDO) Page Mode功能，支持多种刷新模式。" DDR3 SDRAM（Double Data Rate Third Generation Synchronous Dynamic Random-Access Memory）是内存技术的一种，它在DDR2 SDRAM的基础上进一步提升了数据传输速率和能效。Elpida Memory的HM5117805LJ-5是一款16M x 8位的DRAM芯片，总共提供2,097,152字x8位的存储容量，即2M字节。这款芯片采用先进的CMOS技术，旨在实现高性能和低功率消耗。 该芯片的主要特点包括： 1. **单一5V工作电压**：芯片工作在±10%的5V电压范围内，保证了稳定性和兼容性。 2. **访问时间**：提供三种最大访问时间选择，分别是50ns、60ns和70ns，适应不同的系统速度需求。 3. **功耗管理**：在活动模式下，最大功耗分别为605mW、550mW和495mW，而待机模式下的最大功耗仅为11mW，L版本的待机功耗更低，仅为0.83mW。 4. **EDO Page Mode**：扩展数据输出页模式，提高了数据读取速度，适合高速操作。 5. **长刷新周期**：支持2048个刷新周期，周期时间为32ms，L版本则延长至128ms。 6. **多刷新模式**：包括RAS-only刷新、CAS-before-RAS刷新、隐藏刷新和自我刷新（仅L版本支持）。 7. **电池备份操作**（L版本）：在断电情况下，L版本的芯片能通过电池保持数据，确保数据安全。 订购信息未在提供的摘要中给出，但通常会包括芯片的不同封装选项、批号、生产厂商代码等，用于指导用户根据实际需求选择合适的产品版本。 这个数据手册对系统设计者来说是至关重要的，因为它提供了详细的电气特性、引脚配置、操作条件以及测试条件等信息，帮助设计者正确地将HM5117805LJ-5集成到他们的硬件系统中，以充分发挥其性能优势。此外，由于芯片已标记为EOL（End of Life）产品，意味着该型号可能不再生产，设计者需要考虑未来替换或升级方案。