HAF2015RJ-VB: 60V双通道N-Channel MOSFET，低RDS(on)和高电流性能

HAF2015RJ-VB是一款由VBSEMI公司生产的双N-Channel场效应MOS管，采用SOP8封装，专为高电压、大电流应用设计。这款器件采用了Trench FET技术，具有出色的性能和可靠性。 1. **封装和特性**： - SOP8封装，紧凑型设计，适合空间受限的应用。 - 包含两个独立的N-Channel沟道，每个通道能够承受高达60V的 Drain-Source（VDS）电压。 - 在VGS = 10V时，每个通道的RDS(ON)电阻低至27mΩ，提供高效能传输。 - 当VGS降至4.5V时，RDS(ON)有所增加，但具体数值未在部分中给出。 - 每个沟道的最大连续导通电流ID为7A，保证了在标准条件下良好的散热性能。 2. **测试与限制**： - 100%的Rg和UIS参数经过了严格的测试，确保了稳健的开关性能。 - 产品有包装限制，可能影响电路板布局。 - 在脉冲测试中，脉宽不超过300μs，占空比不大于2%。 - 建议在1平方英寸FR4材料的PCB上安装，以优化热管理和电气性能。 3. **产品概述**： - 适用于工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，满足不同环境条件下的应用需求。 - 顶部视图显示了双极性连接，包括源极S1和S2，栅极G1和G2，以及漏极D1和D2。 4. **极限参数**： - 长时间持续工作时，最大耗散功率PD（25°C）为4W，而在125°C下有所降低。 - 单次脉冲峰值电流IDM可达28A，单脉冲雪崩电流IL和能量EAS分别为18A和16.2mJ。 - 该器件还考虑了结温TJ和存储温度Tstg范围内的热管理，提供了Junction-to-Ambient热阻RthJA的详细规格。 HAF2015RJ-VB是一款高性能的双N-Channel MOSFET，适用于对电压和电流要求较高的电源管理和开关应用。在选择和使用时，应考虑到其封装、极限条件、热性能以及电路板布局的兼容性。