HAF2026R-VB：SOP8封装双N沟道60V MOSFET技术规格

"HAF2026R-VB是一款由VB Semiconductor公司生产的SOP8封装双N-Channel场效应MOSFET。这款MOSFET具有TrenchFET技术，提供100%的Rg和UIS测试，确保了其质量和可靠性。每个通道的最大连续 Drain-Source 电压（VDS）为60V，额定电流（ID）为6A，且在VGS=10V时的RDS(ON)低至27mΩ，同时具备1.5V的阈值电压（Vth）。产品适用于需要高效能、低电阻开关应用。" 详细说明： HAF2026R-VB是一款双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装，这意味着它在紧凑的8引脚小外形封装内集成了两个独立的MOSFET单元。这种器件特别适合需要高效能、低功耗的电路设计，例如电源管理、直流电机驱动、负载开关以及高频开关应用。 TrenchFET技术是HAF2026R-VB的一大特点，这是一种先进的制造工艺，通过在MOSFET的结构中采用沟槽形状的沟道，可以显著降低电阻并提高电流处理能力。这使得MOSFET在低电压下也能保持良好的开关性能，降低了导通电阻RDS(ON)，从而在工作时减少功率损耗。 参数方面，每个通道的VDS最大为60V，意味着它们可以承受60V的电压差，而ID的最大额定值为6A，表明每个MOSFET可连续处理的最大电流。在10V的栅极-源极电压（VGS）下，RDS(ON)仅为27毫欧，这表明在典型工作条件下，该MOSFET的内部电阻非常低，有助于提高效率。此外，阈值电压Vth为1.5V，这是决定MOSFET开始导通的门限电压。 在安全性方面，MOSFET经过了100%的Rg和UIS测试，以确保其在使用中的稳定性和耐冲击性。脉冲测试显示，该器件能够承受短脉冲高电流，如300微秒宽度、2%占空比的脉冲，最大脉冲电流IDM可达28A，而单脉冲雪崩电流IA限制在18A，单脉冲雪崩能量EAS为16.2毫焦。 热特性方面，HAF2026R-VB的结到壳热阻RthJA为11℃/W，这意味着当器件在25℃环境下工作时，每增加1W功率，结温将升高11℃。考虑到热管理，设计者需要确保在高温环境下，器件的温度不会超过175℃的最高结温限制。 HAF2026R-VB是一款高性能、低电阻的双通道N沟道MOSFET，适用于需要高效开关性能和紧凑封装的应用场景。其优秀的电气特性和可靠的测试保证使其成为许多电子设计的首选组件。