HAF2026RJ-VB: 60V双通道N-Channel MOSFET，低RDS(on)特性

HAF2026RJ-VB是一款由VBSEMI公司生产的SOP8封装的双N-Channel场效应MOS管，特别适合于需要高电压和大电流的应用场合。这款器件采用先进的Trench FET技术，具有出色的性能和可靠性。 该MOSFET的主要特性包括： 1. **封装类型**: SOP8封装，紧凑型设计便于电路板布局。 2. **通道类型**: 两个独立的N-Channel沟道，每个能承受高达60V的漏源电压（VDS），确保了高电压隔离。 3. **电流规格**: - 在VGS = 10V时，每个通道的RDS(ON)（漏极导通电阻）仅为27mΩ，提供低阻抗和高效能。 - 当VGS = 4.5V时，RDS(ON)略高，适合在不同工作电压下调节。 - 持续电流ID可达每腿7A，能满足一般功率需求。 4. **耐压测试**: 100%的Rg和UIS测试保证了在各种条件下良好的开关性能和安全操作。 5. **限制条件**: - 包装限制：可能对某些电路板尺寸有限制。 - 脉冲测试：脉宽小于300μs，占空比不超过2%。 - 安装建议：在1平方英寸（FR4材料）的PCB上使用时需考虑热管理。 **产品概述**: - VDS最大值为60V，适用于高压环境。 - SOT-23封装，紧凑型设计，方便集成。 - 顶部视图显示了G1、D1和S1等引脚布局，有助于理解接线。 **电气参数**: - 阀值电压（VGS）范围广，±20V，允许灵活的控制。 - 在连续操作条件下，ID限值为7A，随着温度升高有所减小。 - 电导性相关的限制，如IS（单个通道源电流）、IDM（单脉冲峰值电流）和EAS（单脉冲雪崩能量）都详细规定了安全工作范围。 - 最大功率耗散PD在25°C下为4W，但在125°C下会有所下降，确保器件的热稳定性。 **温度管理**: - Tj, T是操作和存储温度范围，从-55°C到+175°C，提供了宽泛的工作条件适应性。 - 提供了Junction-to-Ambient热阻RthJA，即结温与环境温度之间的热阻，这对于有效散热至关重要。 HAF2026RJ-VB是一款高性能、高可靠性的双N-Channel MOSFET，适用于需要高电压、大电流以及紧凑封装的工业级应用，如电机驱动、电源管理和信号处理等。在使用时，务必注意其限制条件和热管理，以确保最佳性能和设备安全。