SUD08P06-155L-E3是一款P沟道高电压、大电流的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它具有出色的开关性能和耐高温特性,适用于各种工业级和高功率电子应用。这款MOSFET的关键参数如下:
1. **电压范围**:
- VDS(漏极-源极电压)最高可达-60V,确保了设备在高压环境下的工作能力。
- VGS(栅极-源极电压)的绝对最大值为±20V,允许在-1.3Vth的阈值电压下操作,这对于控制电流流动至关重要。
2. **导通电阻**:
- RDS(ON) 在不同工作条件下表现出低阻值:
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 61mΩ,提供高效的能量传输。
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 72mΩ,可能用于调整开关频率或限制短路电流。
3. **电流能力**:
- 持续工作电流(连续漏极电流)ID在标准温度下(TJ=25°C)可达-30A,而在较高温度(TC=100°C)下为-25A。
- PulsedDrainCurrent(脉冲漏极电流)允许处理更大的瞬态负载,如-20A。
- 单脉冲雪崩电流(AvalancheCurrent, IAS)和单脉冲雪崩能量(EAS, 7.2mJ)保证了设备在过载条件下的安全。
4. **散热性能**:
- 提供良好的热管理,包括:
- Junction-to-Ambient (J-A) 热阻典型值为20°C/W(短时间10秒内)和最大值25°C/W。
- SteadyState Junction-to-Case (J-C) 热阻典型值为5°C/W,保证了在高功耗下的可靠运行。
5. **封装与应用**:
- 采用TO252封装,适合表面安装在1"x1" FR-4板上,方便集成。
- 作为TrenchFET® Power MOSFET设计,这款器件经过100%的UISTest(未公开具体含义,可能是针对特定性能的测试)。
- 主要应用领域包括负载开关,支持在-55°C到175°C的宽温工作范围。
6. **支持与资源**:
- 提供服务热线400-655-8788,可获取更多关于SUD08P06-155L-E3的详细信息和技术支持。
在选择和使用这款MOSFET时,务必参考其安全操作区(SOA)曲线来确保在不同电压和温度下的正确操作,以避免器件损坏。同时,注意遵守制造商给出的绝对最大额定值,如最大功率 dissipation PD 和温度限制,以确保系统的长期稳定运行。