SUD08P06-155L-E3是一款P沟道高电压、大电流的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它具有出色的开关性能和耐高温特性，适用于各种工业级和高功率电子应用。这款MOSFET的关键参数如下：
1. **电压范围**：
- VDS（漏极-源极电压）最高可达-60V，确保了设备在高压环境下的工作能力。
- VGS（栅极-源极电压）的绝对最大值为±20V，允许在-1.3Vth的阈值电压下操作，这对于控制电流流动至关重要。
2. **导通电阻**：
- RDS(ON) 在不同工作条件下表现出低阻值：
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) = 61mΩ，提供高效的能量传输。
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 72mΩ，可能用于调整开关频率或限制短路电流。
3. **电流能力**：
- 持续工作电流（连续漏极电流）ID在标准温度下（TJ=25°C）可达-30A，而在较高温度（TC=100°C）下为-25A。
- PulsedDrainCurrent（脉冲漏极电流）允许处理更大的瞬态负载，如-20A。
- 单脉冲雪崩电流（AvalancheCurrent, IAS）和单脉冲雪崩能量（EAS, 7.2mJ）保证了设备在过载条件下的安全。
4. **散热性能**：
- 提供良好的热管理，包括：
- Junction-to-Ambient (J-A) 热阻典型值为20°C/W（短时间10秒内）和最大值25°C/W。
- SteadyState Junction-to-Case (J-C) 热阻典型值为5°C/W，保证了在高功耗下的可靠运行。
5. **封装与应用**：
- 采用TO252封装，适合表面安装在1"x1" FR-4板上，方便集成。
- 作为TrenchFET® Power MOSFET设计，这款器件经过100%的UISTest（未公开具体含义，可能是针对特定性能的测试）。
- 主要应用领域包括负载开关，支持在-55°C到175°C的宽温工作范围。
6. **支持与资源**：
- 提供服务热线400-655-8788，可获取更多关于SUD08P06-155L-E3的详细信息和技术支持。
在选择和使用这款MOSFET时，务必参考其安全操作区（SOA）曲线来确保在不同电压和温度下的正确操作，以避免器件损坏。同时，注意遵守制造商给出的绝对最大额定值，如最大功率 dissipation PD 和温度限制，以确保系统的长期稳定运行。
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