AOD4189-VB-MOSFET: -40V耐压，-65A电流，低导通电阻特性详解

本文档详细介绍了AOD4189-VB-MOSFET这款高性能的沟槽型功率MOSFET产品。这款器件采用TrenchFET技术，旨在提供低热阻封装和卓越的散热性能，确保在高工作电流和电压条件下保持高效能。其主要特点包括： 1. **特性**： - **封装**：TO252封装，具有较低的热阻，有助于散热。 - **测试标准**：100% Rg和UIS（共模和差模输入电压耐受）已通过测试。 - **注意事项**： - 包装限制：可能适用于特定尺寸的PCB（如1"方PCB，FR4材料）。 - 工作条件：脉冲宽度不超过300μs，占空比不超过2%。 - 参数验证正在进行中。 2. **产品概述**： - **伏特数**（VDS）：最大导通电压为-40V。 - **导通电阻**： - VGS = -10V时，RDS(on) = 0.012Ω。 - VGS = -4.5V时，RDS(on) = 0.015Ω。 - **电流规格**： - 连续漏极电流（ID）在25°C时可达-50A，但在125°C下会有所下降。 - 单脉冲雪崩电流（单脉冲峰值）在0.1mH电感下为-40A，能量为80mJ。 3. **极限参数**： - **绝对最大值**：例如，最大允许的连续源电流（二极管导通状态下的IS）为-50A，最大功率损耗（PD）在25°C下为3W，而在125°C下为45W。 4. **温度范围**： - 操作结温范围：-55℃至+175℃，存储温度范围相同。 - **热阻**： - 结-环境热阻（RthJA）：50°C/W，表示良好的散热性能。 - 结-壳体热阻（RthJC）：1.1°C/W，针对 Drain 极。 AOD4189-VB-MOSFET是一款适合高电压、大电流应用的P沟道MOSFET，特别强调了其低阻抗、高效能以及对温度的适应性，是设计高压开关、驱动器和其他电源管理电路的理想选择。但使用时需注意脉冲操作限制以及针对特定PCB的兼容性。