BSS138DW-7-F-VB：低电阻N沟道MOSFET，适用于高速电路

"BSS138DW-7-F-VB是一种N沟道MOSFET，采用SC70-6封装，适用于低电压、高速电路应用，如逻辑接口、驱动器和电池供电系统等。这款MOSFET具有低电阻、低阈值电压、低输入电容和快速开关速度等特点，且符合RoHS指令。" BSS138DW-7-F-VB是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其主要特点是： 1. **卤素免费**：根据IEC61249-2-21定义，该器件不含有卤素成分，符合环保要求。 2. **低导通电阻**：其导通电阻低至2.5欧姆，这使得在高电流传输时损耗更小，提高了效率。 3. **低阈值电压**：典型的门极阈值电压仅为2伏，这意味着较低的电压即可开启MOSFET，降低了驱动需求。 4. **低输入电容**：输入电容仅为25皮法，这有利于提高开关速度和减少信号失真。 5. **快速切换速度**：开关速度达到25纳秒，适合在高速电路中使用。 6. **低输入和输出泄漏电流**：在静态条件下，输入和输出漏电流极低，有助于降低功耗和提高稳定性。 7. **TrenchFET®技术**：采用沟槽式MOSFET结构，提供更好的面积效率和更高的电流密度。 8. **符合RoHS指令**：满足2002/95/EC RoHS指令，不含铅，对环境友好。 这款MOSFET的主要应用领域包括： - **直接逻辑级接口**：能够直接与TTL或CMOS逻辑电路兼容，实现信号的高效传输。 - **驱动器**：可用于驱动继电器、电磁铁、灯、锤子、显示屏、内存、晶体管等设备。 - **电池供电系统**：在低电压环境下，由于其低电压操作和低功耗特性，非常适合电池供电的电子设备。 参数规格方面： - **漏源电压**（VDS）的最大额定值为60伏。 - **门极源极电压**（VGS）的最大值为正负20伏。 - **连续漏极电流**（ID）在25°C时为300毫安，在100°C时为190毫安。 - **脉冲漏极电流**（IDM）峰值可达800毫安。 - **功率耗散**（PD）在25°C时为0.35瓦，在100°C时降至0.14瓦。 - **最大结到壳热阻**（RthJA）是衡量散热性能的指标，未给出具体数值，但通常越低表示散热能力越好。 BSS138DW-7-F-VB是一款设计用于低电压、高速应用的高性能MOSFET，具有出色的电气性能和环境友好性，广泛应用于各种电子设备中。