BSS138DW-7-F-VB:低电阻N沟道MOSFET,适用于高速电路
184 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 551KB PDF 举报
"BSS138DW-7-F-VB是一种N沟道MOSFET,采用SC70-6封装,适用于低电压、高速电路应用,如逻辑接口、驱动器和电池供电系统等。这款MOSFET具有低电阻、低阈值电压、低输入电容和快速开关速度等特点,且符合RoHS指令。"
BSS138DW-7-F-VB是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其主要特点是:
1. **卤素免费**:根据IEC61249-2-21定义,该器件不含有卤素成分,符合环保要求。
2. **低导通电阻**:其导通电阻低至2.5欧姆,这使得在高电流传输时损耗更小,提高了效率。
3. **低阈值电压**:典型的门极阈值电压仅为2伏,这意味着较低的电压即可开启MOSFET,降低了驱动需求。
4. **低输入电容**:输入电容仅为25皮法,这有利于提高开关速度和减少信号失真。
5. **快速切换速度**:开关速度达到25纳秒,适合在高速电路中使用。
6. **低输入和输出泄漏电流**:在静态条件下,输入和输出漏电流极低,有助于降低功耗和提高稳定性。
7. **TrenchFET®技术**:采用沟槽式MOSFET结构,提供更好的面积效率和更高的电流密度。
8. **符合RoHS指令**:满足2002/95/EC RoHS指令,不含铅,对环境友好。
这款MOSFET的主要应用领域包括:
- **直接逻辑级接口**:能够直接与TTL或CMOS逻辑电路兼容,实现信号的高效传输。
- **驱动器**:可用于驱动继电器、电磁铁、灯、锤子、显示屏、内存、晶体管等设备。
- **电池供电系统**:在低电压环境下,由于其低电压操作和低功耗特性,非常适合电池供电的电子设备。
参数规格方面:
- **漏源电压**(VDS)的最大额定值为60伏。
- **门极源极电压**(VGS)的最大值为正负20伏。
- **连续漏极电流**(ID)在25°C时为300毫安,在100°C时为190毫安。
- **脉冲漏极电流**(IDM)峰值可达800毫安。
- **功率耗散**(PD)在25°C时为0.35瓦,在100°C时降至0.14瓦。
- **最大结到壳热阻**(RthJA)是衡量散热性能的指标,未给出具体数值,但通常越低表示散热能力越好。
BSS138DW-7-F-VB是一款设计用于低电压、高速应用的高性能MOSFET,具有出色的电气性能和环境友好性,广泛应用于各种电子设备中。
2024-01-02 上传
2023-12-18 上传
2023-05-24 上传
2023-06-03 上传
2024-06-28 上传
2023-05-23 上传
2023-07-11 上传
2023-05-23 上传
2023-06-01 上传
2023-06-03 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/1f198ad2833646079dd0b68008fcc9d7_vbsemi_mos.jpg!1)
VBsemi_MOS
- 粉丝: 7281
- 资源: 2209
最新资源
- 构建Cadence PSpice仿真模型库教程
- VMware 10.0安装指南:步骤详解与网络、文件共享解决方案
- 中国互联网20周年必读:影响行业的100本经典书籍
- SQL Server 2000 Analysis Services的经典MDX查询示例
- VC6.0 MFC操作Excel教程:亲测Win7下的应用与保存技巧
- 使用Python NetworkX处理网络图
- 科技驱动:计算机控制技术的革新与应用
- MF-1型机器人硬件与robobasic编程详解
- ADC性能指标解析:超越位数、SNR和谐波
- 通用示波器改造为逻辑分析仪:0-1字符显示与电路设计
- C++实现TCP控制台客户端
- SOA架构下ESB在卷烟厂的信息整合与决策支持
- 三维人脸识别:技术进展与应用解析
- 单张人脸图像的眼镜边框自动去除方法
- C语言绘制图形:余弦曲线与正弦函数示例
- Matlab 文件操作入门:fopen、fclose、fprintf、fscanf 等函数使用详解