AO4805&19-VB双P沟道30V MOSFET：适用于电源开关应用

"AO4805&19-VB是一种双P沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源开关应用，如笔记本电脑、台式机和游戏站。这种MOSFET具有无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术以及100%UIS测试的特点。其主要规格包括30V的最大漏源电压（VDS），在不同门极源极电压下的低阻抗，以及低电荷量。最大连续漏极电流随温度变化，而脉冲漏极电流、连续源漏二极管电流和雪崩电流也有明确的限制。此外，该器件的最大功率耗散和热特性也进行了规定。" AO4805&19-VB MOSFET是一款高性能的双P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，设计用于电源管理中的负载开关应用。其关键特性之一是采用无卤素材料，符合环保要求。TrenchFET技术则意味着它采用了沟槽结构，这有助于减小芯片面积，提高开关速度，并降低导通电阻，从而提高能效。 这款MOSFET在VGS=-10V时的典型RDS(on)为0.02Ω，而在VGS=-4.5V时为0.028Ω，这两个数值表示了当MOSFET完全开启时，源极到漏极之间的电阻。低RDS(on)意味着在高电流通过时有较小的电压降，降低了功耗。 AO4805&19-VB的电气特性还包括ID的额定值，它在不同温度下有不同的最大连续漏极电流，例如在25°C时为-9.5A，在70°C时为-8.0A。此外，还有脉冲漏极电流IDM，最大可达-32A，表明了MOSFET在短时间内处理大电流的能力。 器件的热特性也非常重要，其中给出了最大功率耗散（PD）和热阻抗。在25°C时，最大功率耗散为5W，但随着环境温度升高，这个值会降低。这些参数确保了MOSFET在工作时不会过热。 安全操作方面，AO4805&19-VB的绝对最大额定值定义了其在不损坏设备的条件下可承受的工作极限，如漏源电压、门极源极电压和温度范围等。它还通过了UIS测试，保证了在过电压情况下的安全性。 AO4805&19-VB MOSFET是一个适合于各种电源管理应用的高性能、高可靠性的元件，它的低RDS(on)、TrenchFET技术以及严格的测试标准使其在同类产品中脱颖而出。