APM8010KC-TRL-VB: 高性能N沟道SOP8封装100V MOSFET特性与应用

APM8010KC-TRL-VB是一款N沟道的高压MOSFET，采用SOP8封装，专为开关电源和高电压应用设计。这款器件具有以下关键特性： 1. **环保合规**：根据IEC 61249-2-21标准，该MOSFET不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC的要求，体现出对环境保护的重视。 2. **低损耗设计**：通过极低的Qgd（导通状态下的导通电阻积）值，可以显著降低开关损耗，提高能源效率。 3. **高可靠性测试**：100%的Rg（漏极到源极电阻）和Avalanche（雪崩击穿电流）测试确保了产品的稳定性。 4. **温度适应性**：在标准条件下，允许的连续和脉冲工作温度范围广泛，从-55℃到150℃，包括在不同环境下的最大功率处理能力。 - **电气参数**： - 集成在1英寸x1英寸FR4板上的SOP8封装。 - Drainsource电压(VDS)最高可达100V，保证了高压操作。 - Gate-Source电压(VGS)支持±20V，确保了足够的控制电压范围。 - 在25°C下，连续导通电流(ID)可达9A，而在70°C时有所降低。 - 脉冲状态下，单次脉冲Avalanche电流(IAS)高达30A，能量吸收能力为112mJ。 - 最大功率耗散(PD)在不同温度下限制在14W至5W。 5. **热性能**：提供了明确的热阻抗规格，帮助用户理解设备在不同温度下的散热情况。 6. **应用领域**：适用于初级侧开关，特别适合那些对效率、可靠性和小型化有高要求的电路设计。 总结来说，APM8010KC-TRL-VB是一款高性能、环保的N沟道MOSFET，适合于各种工业级应用，其卓越的电气特性和严格的质量控制使其成为选择开关元件的理想选择。设计者在考虑集成这款器件时，需注意其工作条件下的极限参数和推荐的使用环境，以确保最佳性能和设备寿命。