BSL308PE-VB双P沟道20V MOSFET SOT23-6封装
"BSL308PE-VB是一款双P沟道20V MOSFET,采用SOT23-6封装,适用于各种需要低阻抗和高效能的电路设计。这款MOSFET提供了两个独立的P沟道晶体管,每个具有低的RDS(on)值,以优化电源开关和驱动应用。" BSL308PE-VB MOSFET是一款高性能的双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,设计用于在20V的电压下工作。其关键特性包括: 1. **电压等级**:这款MOSFET能承受的最大漏源电压(VDS)为-20V,这意味着它能够在正向偏置时作为开关来控制电流流动。 2. **低导通电阻**:在特定条件下,如VGS=-4.5V时,RDS(on)仅为0.100Ω,而在VGS=-2.5V时,RDS(on)为0.27Ω。这表明BSL308PE-VB在开启状态下提供非常低的内阻,从而在开关应用中实现高效能和低损耗。 3. **封装形式**:采用SOT23-6封装,这种小型表面贴装封装适合空间有限的电路板布局,便于大规模生产。 4. **电流能力**:在不同温度下,BSL308PE-VB能持续通过的最大直流电流(ID)有所不同,例如,在25°C时为-4.0A,在70°C时为-3.3A。脉冲电流(IDM)则可达-12A。 5. **热特性**:最大结温(TJ)可达到150°C,而最大功率耗散(PD)在25°C时为1.4W,70°C时为0.9W。此外,它具有良好的热性能,包括93至110°C/W的结到环境的最大热阻(RthJA)和75至90°C/W的结到脚的最大稳态热阻(RthJF)。 6. **工作条件**:门极源电压(VGS)的最大值为±12V,而连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为-1.17A。 BSL308PE-VB的主要特点在于其“Halo”技术,这通常指的是采用优化的沟道设计,以进一步提高开关速度并降低开关损耗。这款MOSFET适用于需要高效率、低功耗以及小体积的应用,例如电池管理、负载开关、马达驱动和电源转换系统。 综合以上信息,BSL308PE-VB是一款针对低电压、大电流应用的高效能P沟道MOSFET,它的主要优点在于其低RDS(on)、小巧的封装和良好的热管理特性。在设计电路时,确保不超过其绝对最大额定值,可以充分利用其性能,同时保证设备的可靠性和稳定性。
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