TI TPS51116-EP: DDR内存电源解决方案

"TI-TPS51116-EP.pdf 是一款由德州仪器(TI)推出的用于DDR、DDR2、DDR1和LPDDR3内存电源解决方案的同步降压控制器和1A低压降压稳压器。该器件集成了缓冲基准查询样品，适用于多种高要求应用领域，包括国防、航空航天和医疗等。" TI的TPS51116-EP是一款高度集成的电源管理芯片，设计用于满足高速内存接口的严格电源需求。其主要特点包括： 1. 同步降压控制器 (VDDQ)：能够提供宽范围的输入电压，从3.0V到28V，适用于各种应用环境。 2. 快速负载瞬态响应：采用D-CAP™模式，负载阶跃响应时间仅为100ns，确保了内存系统在快速变化负载条件下的稳定运行。 3. 多种输出电压支持：可以输出SSTL-2、SSTL-18、SSTL-15和HSTL标准所需的电压，并支持电流模式选项和陶瓷输出电容器配置。 4. 应用广泛：不仅适用于常规工业和商业应用，还特别针对国防、航空航天和医疗领域进行了优化，支持S4/S5状态下的软关闭功能。 5. 电流感应与控制：可通过RDS（导通）或电阻器进行电流检测，实现精确的电源管理。 6. 输出电压范围广泛：输出电压可调，从2.5V(DDR)、1.8V(DDR2)到1.5V(DDR3)、1.2V(LPDDR3)，甚至可调节至0.75V至3.0V之间。 7. 全面的保护功能：包括电源正常、过压和欠压保护，确保系统安全运行。 8. 军用级温度范围：可在-55°C至125°C的温度范围内正常工作，满足极端环境下的应用需求。 9. 长期支持：拥有较长的产品生命周期，以及变更通知，保证了设计的长期稳定性和可靠性。 10. 独立LDO(VTT)：内置1A低压降压稳压器，用于VTT电源，且具有缓冲基准(VREF)功能，提供更精确的参考电压。 TPS51116-EP是高性能内存系统电源管理的理想选择，它以其高效、稳定和灵活的特点，满足了现代数字系统对电源管理的苛刻要求。