TPS65910系列芯片手册：嵌入式电源管理解决方案
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更新于2024-07-26
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"TPS6591芯片手册是一份详细的技术文档，针对TI公司生产的TPS65910系列集成电源管理单元进行介绍。该系列芯片包括多个型号：TPS65910、TPS659101至TPS659109，适用于便携式和手持系统，如移动设备中的电源管理解决方案。其主要特点和功能如下：
1. 高效多路DC-DC转换器：这款芯片提供了两个独立的、高效能的DC-DC转换器，分别用于处理器核心和I/O应用。对于处理器，它能为单个锂离子电池（Li-ion）或锂离子聚合物电池以及3系列镍氢电池提供稳定的电压支持，而针对I/O应用的转换器则可以处理一个5V输入。
2. 智能反射™兼容动态电压管理：通过SmartReflex技术，该芯片能够实现动态电压管理，这意味着它可以根据系统需求自动调整电压，从而优化能源效率并确保设备在不同工作负载下的稳定运行。
3. 单一升压转换器：除了多步降压转换器，TPS65910还配备了一个5V升压DC-DC转换器，用于为那些需要高于输入电压的组件供电，比如LCD屏幕或无线通信模块。
4. 八个线性稳压器：芯片内建的八个低 dropout (LDO) 稳压器，为系统中的低电压部件提供精确且稳定的电压，确保了整个电路的电气性能。
5. 应用范围广泛：由于其功能强大且灵活，TPS65910适用于多种嵌入式系统，特别是那些需要高效电源管理、多轨电压供应和智能电压调节的便携式设备，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。
6. 封装和样品获取：TPS65910系列采用48-QFN封装，用户可以通过TI官网（www.ti.com）获取样片，以便进行系统设计和验证。
TPS6591芯片手册提供了关于该产品全面的技术规格、工作原理和应用指导，对于开发人员理解和设计高效能、低功耗的便携式设备至关重要。阅读这份手册可以帮助设计师充分了解如何利用这些功能来优化他们的系统设计，并确保产品的性能和可靠性。"
PRODUCTPREVIEW
TPS65910, TPS659101, TPS659102, TPS659103
TPS659104, TPS659105, TPS659106, TPS659107, TPS659108, TPS659109
www.ti.com
SWCS046C –MARCH 2010–REVISED JUNE 2010
VDD1 SMPS
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
Input voltage (VCC1 and VCC7) V
IN
V
IOUT
= 0.6 V to 1.5 V, VGAIN_SEL = 00 2.7 5.5
V
V
OUT
+ 0.9
V
OUT
> 1.8 V, VGAIN_SEL = 10 or 11 5.5
V
DC output voltage (V
OUT
) VGAIN_SEL = 00, I
OUT
= 0 to I
OUTmax
:
max programmable voltage, SEL[6:0] = 1001011 1.5
default voltage, BOOT[1:0] = 00 –3% 1.2 +3%
default voltage, BOOT[1:0] = 01 –3% 1.2 +3% V
min programmable voltage, SEL[6:0] = 0000011 0.6
SEL[6:0] = 000000: power down 0
VGAIN_SEL = 10, SEL = 0101011 = 43, I
OUT
= 0
–3% 2.2 +3% V
to I
OUTmax
VGAIN_SEL = 11, SEL = 0101000 = 40, I
OUT
= 0
–3% 3.2 +3% V
to I
OUTmax
DC output voltage programmable
VGAIN_SEL = 00, 72 steps 12.5 mV
step (V
OUTSTEP
)
Rated output current I
OUTmax
ILIMSEL = 0 1000
mA
ILIMSEL = 1 1500
P-channel MOSFET V
IN
= V
INmin
300
mΩ
On-resistance R
DS(ON)_PMOS
V
IN
= 3.8 V 250 400
P-channel leakage current V
IN
= V
INmax
, SW1 = 0 V 2 µA
I
LK_PMOS
N-channel MOSFET V
IN
= V
MIN
300
mΩ
On-resistance R
DS(ON)_NMOS
V
IN
= 3.8 V 250 400
N-channel leakage current I
LK_NMOS
V
IN
= V
INmax
, SW1 = V
INmax
2 µA
PMOS current limit (high-side) V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILIMSEL = 0 1200
mA
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILIMSEL = 1 2200
NMOS current limit (low-side) Source current load:
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILIMSEL = 0 1200
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILIMSEL = 1 2200
mA
Sink current load:
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILIMSEL = 0 1200
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILIMSEL = 1 1800
DC load regulation On mode, I
OUT
= 0 to I
OUTmax
20 mV
On mode, V
IN
= V
INmin
to V
INmax
DC line regulation 20 mV
@ I
OUT
= I
OUTmax
Transient load regulation V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 1.2 V
I
OUT
= 0 to 500 mA , Max slew = 100 mA/µs 50 mV
I
OUT
= 700 mA to 1.2A , Max slew = 100 mA/µs
t on, off to on I
OUT
= 200 mA 350 µs
From V
OUT
= 0.6 V to 1.5 V and V
OUT
= 1.5 V to
Output voltage transition rate
0.6 V I
OUT
= 500 mA
TSTEP[2:0] = 001 12.5
TSTEP[2:0] = 011 (default) 7.5 mV/µs
TSTEP[2:0] = 111 2.5
Overshoot SMPS turned on 3%
0.025 ×
Power-save mode ripple voltage Pulse skipping mode, I
OUT
= 1 mA V
PP
V
OUT
Switching frequency 2.7 3 3.3 MHz
Copyright © 2010, Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback 15
Product Folder Link(s): TPS65910 TPS659101 TPS659102 TPS659103 TPS659104 TPS659105 TPS659106
TPS659107 TPS659108 TPS659109
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