SK海力士4G DDR3 SDRAM技术规格书

“HYNIX 4G DDR3内存模块的详细技术规格说明书，包括H5TQ4G43AFR-xxC、H5TQ4G83AFR-xxC和H5TQ4G63AFR-xxC型号的DDR3 SDRAM芯片，具有无铅和无卤素特性，符合RoHS标准。” 本文档是海力士（Hynix）公司关于4Gb DDR3 SDRAM芯片的规格书，主要针对H5TQ4G43AFR-xxC、H5TQ4G83AFR-xxC和H5TQ4G63AFR-xxC这三款产品。这些芯片设计用于需要大容量内存和高带宽的主内存应用。以下是这些DDR3 SDRAM芯片的关键特性和技术细节： 1. **电压规格**：这些芯片的工作电压VDD和数据线电压VDDQ均为1.5V，允许的电压波动范围为+/-0.075V。这确保了在标准电源条件下稳定工作。 2. **双数据速率同步**：DDR3 SDRAM的特性在于其双倍数据速率，即数据传输在时钟的上升沿和下降沿都进行，从而提高了数据传输速度。 3. **地址和控制输入**：所有地址和控制信号在时钟的上升沿被捕捉，而数据、数据 strobe 和写数据掩码则在时钟的上升沿和下降沿都被采样。 4. **内部流水线和8位预取技术**：通过内部的数据路径流水线化和8位预取，这些芯片能够实现非常高的带宽，提升系统性能。 5. **环保特性**：这些器件是无铅（Lead-Free）和无卤素（Halogen-Free）的，符合欧盟的RoHS（Restriction of Hazardous Substances）指令，对环境友好。 6. **修订历史**：文档在2012年10月进行了初步发布，并在2013年4月更新到了1.0版本，说明海力士对产品持续进行优化和改进。 7. **设备特性与订购信息**：详细列出了产品的功能特点，为用户提供了订购时需要参考的重要信息。 8. **兼容性**：这些内存芯片适用于各种需要高性能内存的系统，如服务器、台式机、笔记本电脑等。 Hynix的4Gb DDR3 SDRAM芯片提供了高效能、低功耗和环保的解决方案，适用于需要大量内存和高速数据处理的应用场景。其技术规格和特性使得它们成为现代计算机系统中理想的内存组件选择。