Research and Progress of Vacuum Electronics
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Abstract
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Key words
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真空微电子学的研究和进展
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刘 敏,雷 威,张晓兵,王保平
(东南大学电子工程系,南京
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)
摘要:真空微电子学是迅速发展的一门新学科,近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近
两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新
进展。真空微电子学在场发射平面显示器件方面的研究已进入实用阶段,相信近几年在这方面的应用将会获得突
破性的进展。
关键词:真空微电子学;场致发射;新材料;场发射显示器
中图分类号:
>DBE
文献标识码:
F
文章编号:
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真空微电子学(
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)是一门新兴的学科,它随
着近年来大规模集成电路工艺和真空技术等的发展
而产生。
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年
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月在美国
<*55*(:0?9,.
召开首届
国际真空微电子学会议,正式提出真空微电子学的
概念,标志着真空微电子学的诞生,其发展条件是场
致发射和微电子学的微细结构技术。真空微电子器
件既具有真空电子器件抗辐射、耐高温、速度快、功
率大、低噪声等优点,同时又有固体电子器件体积
小、功耗低、适合大规模生产、集成化以及成本低等
优点,是非常理想的电子器件。真空微电子器件的
主要工作机理就是场致电子发射。目前真空微电子
学的研究进展也集中在场致发射这个方面。
#
场发射阴极微尖发射性能的进一步提高
真空微电子器件最核心的技术是场致发射阴
极,
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的
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小组差不多花费了
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年时间,在
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年首次发表了薄膜场致发射二极管阵列(
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)阴极研究成果,奠定了真空微电
子学的基础
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]
。很长一段时间,只有在高电压情况
下,导体尖端才可获得
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I P 6:
。
K)*4+2
阴极采
用现代微细加工手段和双向沉积金属方法,获得了
较小的栅极孔径(
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)和钼尖锥曲率(
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),
使场致发射阴极成为可能。近年来国内外都集中在
第
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卷第
B
期
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年
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月
电 子 器 件
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收稿日期:
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基金项目:国家大功率微波重点实验室基金,东南大学科技基金(编号
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)资助项目
作者简介:刘敏(
#%ME H
),女,硕士研究生,现在东南大学金东飞显示技术研究中心从事显示技术的研究,
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雷威,男,教授,博士生导师,
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