富士通MB85RC128系列FRAM存储芯片I2C接口技术规格

"这份文档是富士通公司关于IIC接口存储芯片MB85RC128系列的详细英文资料，涵盖了该芯片的技术规格、特点和应用。" 文章正文: 富士通半导体的MB85RC128是一款基于铁电随机存取内存（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM）技术的独立存储芯片，它采用了16,384个字×8位的配置。这种非易失性内存芯片通过结合铁电工艺和硅栅极CMOS工艺技术来构建其存储单元，能够在无需数据备份电池的情况下保持数据。 MB85RC128芯片采用了两线制串行接口，即I2C（Inter-Integrated Circuit）总线协议，符合版本2.1的标准，并支持标准模式和快速模式。与传统的静态随机存取内存（Static RAM, SRAM）不同，MB85RC128在断电后仍能保留数据，极大地扩展了其在无电源环境下的应用范围。 该芯片的读写耐久性显著优于闪存（Flash memory）和电可擦可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM），其非易失性内存单元的读/写耐久周期至少达到10^10次，这是一个显著的技术优势。另外，MB85RC128在写入数据后不需要像闪存或EEPROM那样进行轮询序列以确认写入完成，提高了操作效率。 MB85RC128的工作电源电压范围为2.7V至3.6V，最大操作频率为400kHz。此外，该芯片可以通过两个端口完全控制：串行时钟（Serial Clock, SCL）和串行数据（Serial Data, SDA）。这使得该设备可以轻松集成到各种系统中，特别是在需要高速、低功耗且对数据可靠性要求高的应用场景。 富士通的MB85RC128系列芯片提供了高性能、高耐久性和低功耗的存储解决方案，特别适用于那些需要频繁读写操作且要求数据长期保存的设备，如工业自动化、物联网设备、医疗仪器、汽车电子系统等领域。由于其卓越的特性，MB85RC128是替代传统非易失性存储技术的一个理想选择。