FUJITSU IIC接口MB85RC64V系列非易失性FRAM存储芯片技术规格
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更新于2024-07-16
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FUJITSU IIC接口存储芯片MB85RC64V系列是一份详细的英文技术文档,由富士通半导体有限公司提供。该系列芯片属于非易失性存储器FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)的一种,特别设计为8K字节×8位的配置,利用铁电效应和硅栅极CMOS工艺技术构建非挥发性存储单元。其核心特点是采用两线串行接口,遵循I2C协议版本2.1,兼容标准模式和快速模式,支持高效的数据传输。
与易失性静态随机访问存储器(SRAM)不同,MB85RC64V无需额外的备份电池就能保持数据,显著提升了数据的持久性。非易失性存储单元的读写耐久度达到了至少10的12次方次,远超同类非易失性存储产品。这使得MB85RC64V在数据写入方面具有优势,它能够以单字节为单位进行写操作,节省了时间和能量,不像闪存或EEPROM那样需要较长的写入等待周期,因此不需要复杂的写完成等待序列。
这款芯片的主要特性包括:
1. 存储容量:8,192个独立的32位存储块(8K×8 bits),每个块都可以独立进行读写操作。
2. 接口类型:I2C接口,支持标准模式和快速模式,提供了灵活的数据传输速率选择。
3. 控制特性:完全可控的接口设计,允许用户方便地进行数据读取、写入和管理。
4. 数据保持:由于采用了FRAM技术,数据在断电后也能保持,无需额外电源来保护存储数据。
5. 高耐用性:长期稳定的数据存储能力,适合对数据保留时间有高要求的应用场景。
MB85RC64V系列适用于需要非易失性存储且对数据存取速度和能耗敏感的应用,例如物联网设备、传感器、工业控制等,它能够在紧凑的系统设计中提供可靠的存储解决方案。在选择和使用这类芯片时,开发者需要了解其接口特性和工作原理,以确保正确集成到系统中并充分利用其优点。
2019-10-18 上传
2020-06-05 上传
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2021-11-25 上传
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2021-07-26 上传
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