富士通MB85RC64系列FRAM存储芯片I2C接口详细规格

"这份文档是富士通公司关于IIC接口存储芯片MB85RC64系列的英文技术资料，详细介绍了该芯片的功能、特点、操作电源电压、工作频率等关键信息。" 富士通（FUJITSU）的MB85RC64是一款采用铁电随机存取内存（FRAM）技术的独立存储芯片，具有64K（8K×8）位的存储容量。这款芯片利用铁电工艺和硅栅极CMOS工艺技术构建了非易失性内存单元，能够在没有数据备份电池的情况下保持数据。 MB85RC64芯片采用了两线式串行接口——I2C（Inter-Integrated Circuit）总线标准，符合版本2.1，支持标准模式和快速模式。该接口由两个端口控制：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）。相比传统的静态RAM（SRAM），MB85RC64的独特之处在于它无需使用备份电池即可保持数据，解决了传统非易失性存储器如闪存（Flash memory）和EEPROM在断电后数据丢失的问题。 此芯片的非易失性内存单元的读写耐久度显著提高，达到了至少10的10次方次循环，远超闪存和EEPROM的耐久性标准。另外，与闪存和EEPROM不同，MB85RC64在写入数据后不需要进行轮询序列以确认写入完成，这使得其在速度上更具优势，提高了系统效率。 在操作电源电压方面，MB85RC64的工作范围为2.7V到3.6V，适用于各种供电环境。而其最大工作频率可达400kHz，确保了快速的数据传输能力。这些特性使得MB85RC64成为需要高速、高耐久性和低功耗非易失性存储解决方案的理想选择，特别是在嵌入式系统、物联网设备以及需要频繁读写操作的应用中。 总结来说，富士通的MB85RC64系列IIC接口存储芯片凭借其独特的FRAM技术、高耐用性、快速的读写速度以及无需额外电池备份的优点，成为了电子设计领域一个重要的存储解决方案。对于需要稳定、高效且节省能源的非易失性存储应用，MB85RC64提供了极具吸引力的选择。